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利用单颗粒ICP-MS 在反应模式下测定半导体有机溶剂中的含铁纳米颗粒

检测样品:半导体有机溶剂检测项目:含铁纳米颗粒

方案概述:半导体产品中的金属污染使产品品质降低。半导体宽度越小,对金属污染物的容忍度越低。常见的金属污染是过渡金属元素和碱金属元素。过渡金属元素往往遍布半导体材料中并在表面形成多多种氧化物,其中铁是较常见的污染物。

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更新时间2021年05月06日

上传企业珀金埃尔默企业管理(上海)有限公司

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半导体产品中的金属污染使产品品质降低。半导体宽度越小,对金属污染物的容忍度越低。常见的金属污染是过渡金属元素和碱金属元素。过渡金属元素往往遍布半导体材料中并在表面形成多多种氧化物,其中铁是较常见的污染物。

 
单颗粒 ICP-MS 已成为纳米颗粒分析的一种常规手段,采用不同的进样系统,能在100-1000 颗粒数每毫升的极低浓度下对纳米颗粒进行检测、计数和表征。除了颗粒信息,单颗粒 ICP-MS 还可以在未经前级分离的情况下检测溶解态元素浓度。许多文献表明单颗粒 ICP-MS 可以在各种基质条件下对纳米颗粒进行测量和表征,包括化学机械抛光浆料。
 
铁离子(56Fe+)受到等离子体引起的 40Ar16O+的严重干扰。利用氨气作反应气的动态反应池技术是消除 40Ar16O+ 对铁离子最高丰度同位素干扰 56Fe+ 有效的途径,且只有对 56Fe+的分析才能获得含铁纳米颗粒分析最低的检出限。
 
本研究将证明利用单颗粒 ICP - MS 在反应模式下测定和表征半导体有机溶剂中的含铁纳米颗粒是切实可行的。
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