官方微信|手机版

半导体

化工仪器网>行业应用 >半导体检测>芯片测试检测>正文

精密水浴锅在芯片温度特性测试中的应用

检测样品:芯片

检测项目:温度特性

方案概述:精密水浴锅在芯片温度特性测试中提供了稳定、均匀的恒温液浴环境,覆盖25℃、60℃、85℃三个典型测试温度点及25→85→25℃热循环条件。测试数据表明,该批次电源管理芯片的输出电压随温度升高呈线性下降(温漂约-1.5mV/℃),纹波随温度升高而增大(85℃较25℃增加53%),转换效率略有下降(约1.9个百分点),8次热循环后芯片性能参数仍符合规格书要求。

点击285次

下载0次

更新时间2026年07月22日

上传企业上海喆图科学仪器有限公司

下载方案

样品信息

测试样品:某型号电源管理芯片(PMIC),共24颗,同一批次出厂,初始电气参数经检测一致。芯片尺寸5mm×5mm,QFN封装。

测试夹具:定制防水密封测试盒,内置PCB转接板,芯片通过焊接固定于PCB上,金线引出电源、接地及信号测试点,测试盒经IP67级防水密封验证,可浸没于水浴中不漏水。每颗芯片单独封装于一个测试盒内。

实验设计

将24颗芯片随机分为4组,每组6颗,分别在不同水浴温度下进行功能测试。各组实验条件如下:

组别

水浴温度

测试电压

测试项目

样品数

A组(常温对照)

25℃

5.0V

输出电压、纹波、效率

6颗

B组(工作高温)

60℃

5.0V

输出电压、纹波、效率

6颗

C组(极限高温)

85℃

5.0V

输出电压、纹波、效率

6颗

D组(热循环)

25℃→85℃→25℃

5.0V

输出电压(全程监测)

6颗

实验过程

第0天(实验准备) :将焊接好芯片的防水测试盒逐一编号,检查密封圈完好性,确保无破损或老化。在空载条件下将测试盒浸入精密水浴锅中,保持5分钟,取出后检查盒内有无进水,确认密封合格后方可投入正式测试。通过触摸按键设定水浴锅温度为25℃,启动加热。高精度PID控温系统将水温调节至设定值并维持稳定,此时将A组6个测试盒浸入水浴中,确保各测试盒之间留有间距,避免相互接触影响传热。浸泡10分钟使芯片温度与水浴温度达到热平衡,随后通过外引线连接测试电源和示波器,记录芯片在5.0V输入电压下的输出电压、纹波电压和转换效率。每组参数测量3次,取平均值作为该温度点下的测试结果。

第1天(高温组测试) :将水浴锅目标温度设定为60℃,设备加热系统快速升温,从25℃升至60℃约需15分钟。待温度稳定后,将B组6个测试盒浸入水浴中,浸泡10分钟热平衡后进行相同的电气参数测试。测试完成后取出测试盒,用无尘布擦干表面水分,置于干燥器中冷却至室温,待后续数据汇总分析。

第2天(极限高温组测试) :将水浴锅目标温度设定为85℃,待温度稳定后,将C组6个测试盒浸入水浴中,浸泡10分钟后进行电气参数测试。该温度接近芯片标称最高工作温度上限,操作过程中若水浴温度超过设定保护值,超温声光报警保护功能将自动触发并切断加热电源,防止芯片过温损坏。

第3-4天(热循环组测试) :将D组6个测试盒固定于水浴锅中,设定温度循环程序:从25℃以1℃/min升温速率升至85℃,保持60分钟,再以1℃/min降温速率降至25℃。整个循环周期约3小时,连续运行8个循环(共24小时)。设备采用不锈钢一次冲压成型内胆无焊缝,长周期运行中不渗漏。若选用GHP系列,低水位预警功能可实时监测槽内水位,防止长时间高温运行水分蒸发导致干烧。循环测试结束后取出测试盒,恢复至室温后进行电气参数测试,评估热循环对芯片性能的影响。在整个热循环过程中,电源保持供电,测试系统连续记录芯片输出电压变化,绘制温度-电压响应曲线。

原始数据

输出电压(V)

芯片编号

A组(25℃)

B组(60℃)

C组(85℃)

D组(热循环后)

1

4.98

4.95

4.88

4.92

2

4.99

4.94

4.87

4.91

3

5.00

4.96

4.89

4.93

4

4.97

4.93

4.86

4.90

5

4.98

4.95

4.88

4.92

6

4.99

4.94

4.87

4.91

平均值

4.98

4.95

4.88

4.92

标准偏差

0.010

0.010

0.010

0.010

纹波电压(mV,峰峰值)

芯片编号

A组(25℃)

B组(60℃)

C组(85℃)

D组(热循环后)

1

12.5

15.2

18.8

14.6

2

11.8

14.6

18.2

14.0

3

12.0

14.9

18.5

14.3

4

11.5

14.3

18.0

13.8

5

12.2

15.0

18.6

14.4

6

11.9

14.7

18.3

14.1

平均值

12.0

14.8

18.4

14.2

标准偏差

0.34

0.32

0.29

0.28

转换效率(%)

芯片编号

A组(25℃)

B组(60℃)

C组(85℃)

D组(热循环后)

1

92.3

91.8

90.5

91.5

2

92.5

91.9

90.6

91.7

3

92.1

91.6

90.3

91.4

4

92.4

91.8

90.4

91.6

5

92.2

91.7

90.5

91.5

6

92.6

92.0

90.7

91.8

平均值

92.4

91.8

90.5

91.6

标准偏差

0.18

0.14

0.14

0.14

结果分析

输出电压数据表明,该电源管理芯片的输出电压随温度升高呈下降趋势。25℃时平均输出电压为4.98V,60℃时降至4.95V,85℃时进一步降至4.88V,温度系数约为-1.5mV/℃,在规格书标称范围内(4.85~5.05V)。热循环组输出电压为4.92V,略高于B组(60℃)但低于A组(25℃),表明热循环后芯片性能存在轻微不可逆退化,但仍在合格范围内。

纹波电压随温度升高而增大。25℃时平均纹波为12.0mV,85℃时增至18.4mV,增幅达53%,提示高温条件下芯片内部开关管导通电阻增大、死区时间偏移,导致输出纹波劣化。热循环组纹波为14.2mV,显著低于C组(85℃)但明显高于A组(25℃),表明热循环虽然使芯片经历了高温应力,但未造成性高纹波输出。

转换效率数据显示,25℃时平均效率为92.4%,85℃时降至90.5%,下降约1.9个百分点。热循环组效率为91.6%,介于A组和C组之间,表明热循环后的芯片效率未出现严重劣化。

热循环组的温度-电压响应曲线显示输出电压随温度升高线性下降,且升温和降温阶段曲线基本重合,表明该芯片在25~85℃范围内具有良好的温度响应可逆性,无明显的温度滞后效应。8次热循环后芯片性能参数仍在规格书允许范围内,表明该批次芯片在此温度循环条件下的可靠性合格。

结论

精密水浴锅在芯片温度特性测试中提供了稳定、均匀的恒温液浴环境,覆盖25℃、60℃、85℃三个典型测试温度点及25→85→25℃热循环条件。测试数据表明,该批次电源管理芯片的输出电压随温度升高呈线性下降(温漂约-1.5mV/℃),纹波随温度升高而增大(85℃较25℃增加53%),转换效率略有下降(约1.9个百分点),8次热循环后芯片性能参数仍符合规格书要求。

注:以上实验数据为模拟演示数据,仅用于说明精密水浴锅在芯片温度特性测试中的应用场景与数据分析方法,实际实验数据需以真实测定结果为准。

 

 

分享:
下载

温馨提示:
1.本网展示的解决方案仅供学习、研究之用,版权归属此方案的提供者,未经授权,不得转载、发行、汇编或网络传播等。
2.如您有上述相关需求,请务必先获得方案提供者的授权。
3.此解决方案为企业发布,信息内容的真实性、准确性和合法性由上传企业负责,化工仪器网对此不承担任何保证责任。

上海喆图科学仪器有限公司

最新解决方案

该企业的其他方案

关闭
友情提示:
如果您已经是化工仪器网的会员,请先 登录 后留言,这有助于您便捷留言,更好地和客户沟通。
还不是会员? 立即 免费注册
提交留言