C-4000（A）全自动磁控溅射系统：立式自动系统，带有水冷或者加热（Z高可加热到700度）功能，Z大到6“旋转平台，Z大可支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡...

C-4000（M）磁控溅射系统：带有水冷或者加热（可加热到700度）功能，可达到到8“旋转平台，支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-...

C-3500（A）全自动磁控溅射系统：立式自动系统，带有水冷或者加热（可加热到700度）功能，可达6“旋转平台，支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极...

C-3500（M）磁控溅射系统：带有水冷或者加热（可加热到700度）功能，可达8“旋转平台，支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 ...

C-3000（A）全自动磁控溅射系统：台式自动系统，带有水冷或者加热（可加热到700度）功能，可达6“旋转平台，支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极...

C-3000（M）磁控溅射系统：带有水冷或者加热（可加热到700度）功能，可达6“旋转平台，支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 ...

C-1000磁控溅射系统：带有水冷或者加热（可加热到700度）功能，可达6“旋转平台，支持到2个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Tor...

LSC-5000全自动兆声大基片湿法去胶系统：Nano-Master兆声大基片湿法刻蚀系统提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗、兆声辅助下光刻胶剥离，以及湿法刻...

LSC-4000兆声大基片湿法去胶清洗系统：Nano-Master兆声大基片湿法刻蚀系统提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗、兆声辅助下光刻胶剥离。它是集成式的...

SWC-5000全自动兆声晶圆清洗机：Nano-Master兆声单晶圆及掩模版清洗机提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗、兆声辅助下光刻胶剥离，以及湿法刻蚀。该...

SWC-4000兆声晶圆（掩模版）清洗机：Nano-Master兆声单晶圆及掩模版清洗机提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗、兆声辅助下光刻胶剥离，以及湿法刻蚀...

SWC-3000兆声辅助光刻胶剥离系统：Nano-Master兆声单晶圆及掩模版清洗机提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗，以及兆声辅助的光刻胶剥离。它可以在一...

SWC-4000兆声辅助光刻胶剥离系统：Nano-Master兆声单晶圆及掩模版清洗机提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗，以及兆声辅助下光刻胶剥离。它可以在一...

NRE-4000（ICPA）全自动ICP刻蚀系统：自动上下载片，带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实...

NRE-4000（ICPM）ICP刻蚀机：是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺...

NDR-4000（A）全自动DRIE深反应离子刻蚀：全自动上下载片，带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8“ ICP源。系统配套500L抽速的涡轮分子...

NDR-4000（M）DRIE深反应离子刻蚀：是带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8“ ICP源。系统配套500L抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力...

NPC-4000（M）等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子去胶和等离子灰化机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光...

NPC-4000（A）全自动等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子刻蚀和等离子灰化机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶...

NPC-3500（A）全自动等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子刻蚀和等离子灰化机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶...