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微波等离子化学气相沉积系统: NM的微波PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源,...
NPE-4000(ICPA)全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可达6" 基片...
NPE-4000(ICPM)ICPECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片...
NPE-4000(A)全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋...
NPE-4000(M)PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电...
NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或...
NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或...
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