微波等离子化学气相沉积系统: NM的微波PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，...

光学镀膜设备：NANO-MASTER NOC-4000光学涂覆系统提供*进的技术，在一个腔体中实现原子级清洗和光学样片抛光，然后把样片传送到第二级腔体中对同一样...

光学镀膜系统：NANO-MASTER NOC-4000光学涂覆系统提供*进的技术，在一个腔体中实现原子级清洗和光学样片抛光，然后把样片传送到第二级腔体中对同一样...

NOC-4000进口光学镀膜机：NANO-MASTER NOC-4000光学涂覆系统提供*进的技术，在一个腔体中实现原子级清洗和光学样片抛光，然后把样片传送到第...

NPD-4000（A）全自动PLD脉冲激光沉积系统：脉冲激光束聚焦在固体靶的表面上。固体表面大量吸收电磁辐射导致靶物质快速蒸发。蒸发的物质由容易逃出与电离的核素...

NPD-4000（M）PLD脉冲激光沉积系统：脉冲激光束聚焦在固体靶的表面上。固体表面大量吸收电磁辐射导致靶物质快速蒸发。蒸发的物质由容易逃出与电离的核素组成。...

NEE-4000（A）全自动电子束蒸发系统：NEE-4000电子束蒸发系统为双腔配置，样品台位于主腔体，二级腔体则用于安置电子束源。两腔体之间的门阀作为预真空锁...

NEE-4000（M）电子束蒸发系统：NEE-4000电子束蒸发系统为双腔体的配置，样品台位于主腔体，二级腔体则用于安置电子束源。两个腔体之间的门阀可以作为预真...

NTE-4000（A）全自动热蒸发系统：全自动立式热蒸发系统，在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。设备具有占地面积小、干净、均匀、可控及可重复的工艺特点。具有...

NTE-4000（M）热蒸发系统：NTE-4000是PC控制的立式热蒸发系统，在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。设备具有占地面积小、干净、均匀、可控及可重复...

NTE-3500（A）全自动热蒸发系统：全自动立式热蒸发系统，在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。设备具有占地面积小、干净、均匀、可控及可重复的工艺特点。具有...

NTE-3500（M）热蒸发系统：NTE-3500是PC控制的紧凑型立式热蒸发系统，在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。设备具有占地面积小、干净、均匀、可控及...

NTE-3000热蒸发系统：NTE-3000是PC控制的台式热蒸发系统，在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。设备具有占地面积小、干净、均匀、可控及可重复的工艺...

NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可达6" 基片...

NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片...

NPE-4000（A）全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋...

NPE-4000（M）PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电...

NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或...

NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或...

NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统：立式自动系统，带有水冷或者加热（Z高可加热到700度）功能，Z大到6“旋转平台，Z大可支持到4个偏轴平面磁控管。系统配...