磁控溅射设备 1

1.设备用途：磁控溅射设备 1是一种超高真空多靶磁控溅射沉积镀膜实验平台，用磁控溅射的方法制备孤立分散的量子点和纳米晶颗粒等薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜及Fe和Cu等金属薄膜。该设备可以根据工艺的需要选择单靶独立工作、四靶轮流工作或四靶任意组合共溅等工作模式。该设备由主腔室和预备室两个真空室组成。主腔室用于镀制薄膜，完成用户主要镀膜工艺过程。预备室通过高真空插板阀与主腔室相连，可以用于镀膜前基片与镀膜后薄膜的等离子清洗，并可以在不破坏主腔室真空的条件下更换基片。

2. 靶、基片及加热材料

磁控溅射设备 1可以采用单靶独立工作或四只靶轮流工作、任意两靶组合共溅、三靶组合共溅等工作模式，向心溅射，射频直流兼容。

所有靶面均可以沿轴向电动位移，所有靶上都带有电动档板，以防止靶面在未工作时被污染。

3. 基片有效镀膜直经：可达4吋，整个基片上的薄膜厚度不均匀度≤5﹪，基片架采用框式结构，样品交接容易，基片架不变形，镀膜时基片转动，旋转速度5～60转/分可调，镀膜均匀。基片有挡板，防止污染。样品加热温度：常温～1000○C可调, 常温～1400○C可调, 常温～1700○C可调。

该设备配有基片挡板，以防止束源未稳定工作时污染基片。样品架在镀膜时旋转，基片上薄膜生长均匀，其整个基片上的薄膜厚度不均匀度≤3﹪。