磁控溅射与蒸发镀膜1

 磁控溅射设备性能：

　磁控溅射与蒸发镀膜1主体均为优质不锈钢制造，耐腐蚀、抗污染、漏率小;设备电控部分采用了*的检测和控制系统，配置了较*的PLC触摸编程控制，为用户做多层膜提供了良好的设备功能保证，磁控溅射与蒸发镀膜1 且保证了设备各功能的稳定和方便操作。性能稳定、可靠；设备布局合理，提高了利用率和稳定性，减少了对环境的干扰；控制面板的设计考虑了美观和适用的结合，使面板操作指示明确，观察舒适、操作方便。

　　主要技术参数:

　　1、3支￠100永磁靶（带挡板）一支￠50永磁靶

　　2、一次可镀￠100衬底样品4块，也可缩小

　　3、极限真空度：6×10-6 Pa

　　4、设备总漏放率：关机停泵12小时后，真空度优于10pa

　　5、衬底可调速自转

　　6、衬底可加热，室温～350℃

　　7、恢复工作时间40分钟，真空度可达6×10-4 Pa

　　附注：磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。