磁控溅射与分子束外延

一、设备概述

　　1、平台用途：磁控溅射与分子束外延是一种超高多靶磁控溅射沉积—多功能电子束—分子束联合蒸发镀膜实验平台，用磁控溅射的方法制备孤立分散的量子点和纳米晶颗粒等薄膜、半导体薄膜及Fe和Cu等金属薄膜，用超高真空电子束—分子束联合蒸发镀膜的方法制备Ti、Al和Cu等金属电极膜及化合物、半导体薄膜，同时还可以用于基片和薄膜的等离子清洗退火。

　　2、靶、基片及加热材料

　　磁控溅射与分子束外延可以采用单靶独立工作或三只靶轮流工作、任意两靶组合共溅、三靶组合共溅等工作模式，向心溅射，射频直流兼容，靶材可以是金属或陶瓷等，磁性材料或非磁性材料。

　　所有靶面均可以沿轴向电动位移，大位移量±100mm，可变角度0～30º。所有靶上都带有电动档板，以防止靶面在未工作时被污染。

　　靶芯采用新式磁场结构，靶面刻蚀均匀，靶材利用率高，基片上薄膜生长均匀，其整个基片上的薄膜厚度不均匀度≤3﹪。

　　该设备有电动基片挡板，以防止靶未稳定工作时污染基片。

　　3、基片及加热材料

　　该设备的基片有效镀膜直经：4吋，整个基片上的薄膜厚度不均匀度≤5﹪，基片架采用框式结构，样品交接容易，基片架不变形，镀膜时基片转动，旋转速度2～30转/分可调，镀膜均匀。基片有挡板，防止污染。基片加热器及温控系统1套，基片加热器电动升降机构行程±20mm，样品加热温度：常温～1700○C可调。基片电动升降机构行程±30mm，焊接金属波纹管密封,真空室真空度可达2×10-7Pa

　　该设备配有基片挡板，以防止束源未稳定工作时污染基片。样品架在镀膜时旋转，基片上薄膜生长均匀，其整个基片上的薄膜厚度不均匀度≤3﹪。