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我们九域半导体公司申请获得了发明荣誉，摘要显示，本发明公开了一种基于涡流法探头的薄晶锭电阻率检测方法，涉及半导体测量技术领域，解决了在部分情况下待测薄晶锭对应电阻率的测量出现偏差的问题，包括对待测薄晶
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为推动宽禁带半导体技术创新与产业应用深度融合，第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM2025）将于2025年11月25日-27日在河南郑州盛大召开。会议将以“芯联新世界，智启源未来（Wid
SiC调研书启动调研‼️九域半导体科技（苏州）有限公司已参与《2025碳化硅衬底与外延产业调研书》的编写工作。为半导体事业贡献力量！！！碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，凭借耐高温、耐高压、高
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