碳化硅半绝缘片电阻率测试2025/4/12

半绝缘碳化硅与导电性碳化硅在电特性和应用领域上差异显著。半绝缘碳化硅，作为一种电阻率较高的材料，其电阻率范围通常在10^5-10^12Ω.cm，非常适用于高温、高电压环境，如电力电子设备和电动汽车部件...

非接触电阻率测试仪：电气材料特性的新一代测量工具2025/2/28

非接触电阻率测试仪是一种先进的电气测量工具，旨在精准测量材料的电阻率而无需与样品直接接触。这种仪器在电子、材料科学、电气工程和环保监测等领域具有广泛应用。随着科技进步和市场需求的增加，应用场景正在不断...

九域半导体科技通过知识产权贯标2025/2/8

知识产权贯标‌是指企业贯彻《企业知识产权管理规范》国家标准的过程。该标准由国家知识产权局制订，并经由国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会批准颁布，于2013年3月1日起实施，标准号为GB/T...

涡流法少子寿命原理2024/12/7

即少数载流子寿命。光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积...

薄膜方块电阻的测试方法2024/11/30

方块电阻测试仪在薄膜或薄层半导体材料中的应用方块电阻测试仪是一种用于测量半导体材料电阻率的仪器，通常用于涂层和薄膜半导体材料的电阻率测量。这种仪器能够测量样品的电导率和电阻率，以及材料的载流子浓度和迁...

无损方块电阻测试具有哪些特点？2024/11/23

方块电阻又称膜电阻，是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值，该数值大小可直接换算为热红外辐射率。方块电阻的大小与样品尺寸无关，其单位为Siements/sq，后增加...

对非接触霍尔迁移率认识2024/11/16

‌非接触霍尔迁移率‌是指通过非接触霍尔效应测量技术获得的迁移率值。霍尔迁移率（Hallmobility）是Hall系数RH与电导率σ的乘积，即μH=│RH│σ‌12。这种迁移率与传统的范德堡霍尔测试法...

涡流法电阻率方阻CE认证重要性2024/11/15

CE认证，即只限于产品不危及人类、动物和货品的安全方面的基本安全要求，而不是一般质量要求，协调指令只规定主要要求，一般指令要求是标准的任务。因此准确的含义是：CE标志是安全合格标志而非质量合格标志。是...

非接触电阻率测试仪有哪些特点值得我们选择？2024/11/11

非接触电阻率测试仪主要基于电磁感应原理来测量材料的电阻率。其基本原理是通过在被测材料附近产生一个交变磁场，该磁场会在材料中感应出涡流。涡流的大小与材料的电阻率、磁导率以及磁场的频率等因素有关。通过测量...

碳化硅的电阻率测试2024/11/9

碳化硅半导体材料属Ⅳ族化合物半导体。为共价键晶体，有闪锌矿型和铅锌矿型两种结晶形式。‌碳化硅的电阻率范围‌通常在0.005Ω·cm到200Ω·cm之间。‌测量方法‌非接触涡流法‌是一种常用的测量导电碳...

少子寿命2024/10/17

少子寿命的定义和重要性‌12‌少子寿命‌是指‌光生电子和空穴从一开始在‌半导体中产生直到消失的时间。它是半导体材料和器件的一个重要参数，直接影响器件的性能。少子寿命越长，器件的性能越好。影响少子寿命的...

非接触式霍尔迁移率2024/10/17

‌‌霍尔迁移率（Hallmobility）是指‌Hall系数RH与电导率‌σ的乘积，即│RH│σ，具有迁移率的量纲，故特别称为霍尔迁移率。‌表示为μH=│RH│σ。‌12霍尔迁移率μH实际上不一定等于...

非接触式方阻测试2024/10/17

方块电阻又称膜电阻，是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值，该数值大小可直接换算为热红外辐射率。方块电阻的大小与样品尺寸无关，其单位为Siements/sq，后增加...

涡流法电阻率测试2024/10/17

涡流法电阻率是一种非接触式的测量方法，主要用于测量材料的电阻率而不会损伤被测物体的表面。‌这种方法基于电磁感应原理，通过检测材料中的涡流来评估其电阻率。涡流法电阻率测量技术的原理是：当交变电流通过导体...