金属膜电阻器是膜式电阻器(Film Resistors)中的一种。它是采用高温真空镀膜技术将镍铬或类似的合金紧密附在瓷棒表面形成皮膜，经过切割调试阻值，以达到最...

半导体材料根据时间先后可以分为三代。第一代为锗、硅等普通单质材料，其特点为开关便捷，一般多用于集成电路。第二代为砷化镓、磷化铟等化合物半导体，主要用于发光及通讯...

碳化硅的厚度范围‌可以从几微米到几毫米不等，具体取决于其应用场景和制造工艺。例如，碳化硅晶圆片的厚度可以达到130微米（um），而碳化硅颗粒的尺寸则有1-3mm...

非接触式无损测厚仪采用的工作原理是光热红外法。利用光源照射物体表面,通过对激励光源进行强度调制，在材料中产生热波，光源激发的热量通过热波在涂层中向深处传播，这一...

非接触式无损测厚仪采用的工作原理是光热红外法。利用光源照射物体表面,通过对激励光源进行强度调制，在材料中产生热波，光源激发的热量通过热波在涂层中向深处传播，这一...

非接触式无损测厚仪采用的工作原理是光热红外法。利用光源照射物体表面,通过对激励光源进行强度调制，在材料中产生热波，光源激发的热量通过热波在涂层中向深处传播，这一...

在半导体制造领域，晶圆的厚度测量是至关重要的一环，它直接关系到产品的质量和性能。为了满足高精度测量的需求，我们研发了一款对射非接触式光谱共焦位移传感器厚度测量设...

金刚石膜检测与测试报告 检测项目 金刚石膜的检测项目主要包括以下几个方面：膜厚度、晶体结构、表面粗糙度、附着力、热稳定性及耐磨性等。

硅片厚度测试的方法主要包括非接触式光学测量技术，如反射率法、干涉法和激光扫描共聚焦显微镜等‌‌1。其中，反射率法是通过测量不同角度下光线的反射率变化来计算硅片厚...

非接触式半绝缘方阻测量技术可以广泛应用于各种领域,比如材料表面导电性测试、薄膜导电性测量、电路板测试等。它具有测量快速、精度高、不损伤被测物体等优点。

半绝缘电阻率通常介于1-1000欧姆·厘米之间，是描述半绝缘材料导电性能的关键参数。这种材料在电子工业中应用广泛，特别是在制造半导体器件、绝缘层和光电...

玻璃领域 半导体玻璃的电阻率及某些物理化学性质在光、电、热等作用下可发生显著改变，从而赋予其的性能。半导体玻璃已广泛应用于光电倍增器、存储器件、电子开关等领域。

晶锭与晶片在半导体行业中扮演着不同的角色，它们之间的区别主要体现在形态、制备方式及应用领域上。首先，晶锭，或称为单晶硅棒，是一种长条状的半导体材料，通常采用特定...

随着光伏产业的迅猛发展，生产效率和产品质量的提升已成为行业关注的焦点。在光伏电池片的生产中，方阻检测是确保电池片质量和性能的关键环节之一。传统的方阻检测方法大多...

主要利用结光电压技术非接触测试具有P/N或N/P结构的样品的方阻(发射极薄层方阻），本仪器为非接触，非损伤测试，具有测试速度快，重复性佳，测试敏感性高，可以直接...

在霍尔效应传感器中，自由电子的移动能力通过迁移率来量化，这是衡量电子在材料中移动难易程度的关键指标。迁移率典型范围一般在5至50平方厘米/伏秒之间详情介绍‌我公...

在霍尔效应传感器中，自由电子的移动能力通过迁移率来量化，这是衡量电子在材料中移动难易程度的关键指标。迁移率典型范围一般在5至50平方厘米/伏秒之间

即少数载流子寿命。光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为...

外延电阻率方阻测试仪：外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅（有的加点埋层）；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延...

衬底电阻率方阻测试仪：衬底，或称基片（substrate），是指在半导体器件制造过程中用来支持其他材料或结构的底层材料。衬底的物理性质包括其晶体结构、机械强度、...