在霍尔效应传感器中，自由电子的移动能力通过迁移率来量化，这是衡量电子在材料中移动难易程度的关键指标。迁移率典型范围一般在5至50平方厘米/伏秒之间详情介绍‌我公...

在霍尔效应传感器中，自由电子的移动能力通过迁移率来量化，这是衡量电子在材料中移动难易程度的关键指标。迁移率典型范围一般在5至50平方厘米/伏秒之间

霍尔迁移率（Hall mobility）是指‌Hall系数RH与‌电导率σ的乘积，即│RH│σ，具有迁移率的量纲‌。其表达式为μH =│RH│σ。‌12定义和计...

霍尔迁移率测试仪主要利用微波测试原理，非接触式测量射频HEMT结构半导体材料的方阻、迁移率及载流子浓度。可实现单点测试，亦可以实现面扫描的测试功能，具有快速，无...