外延电阻率方阻测试仪：外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅（有的加点埋层）；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延...

衬底电阻率方阻测试仪：衬底，或称基片（substrate），是指在半导体器件制造过程中用来支持其他材料或结构的底层材料。衬底的物理性质包括其晶体结构、机械强度、...

玻璃方阻测试仪应用ITO导电玻璃的时候，往往会提到一个重要的参数，这个参数就是：方阻，也称方块电阻。同时，我们也可以将其理解为ITO的表面电阻率。

金属薄膜方阻测试仪：金属薄膜方阻，方块电阻又称膜电阻，是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值，该数值大小可直接换算为热红外辐...

氮化镓电阻率方阻测试仪：氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极...

碳化硅电阻率方阻测试仪：1、电阻率ρ不仅和导体的材料有关，还和导体的温度有关。在温度变化不大的范围内：几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化，即ρ=ρ0（1+at...

晶圆电阻率测试仪：电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。在温度一定的情况下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是电阻率，l为材料的长度，...

非接触式单点薄层电阻测量系统。该装置包含一个涡流传感器组，感应弱电流到导电薄膜和材料。非接触式薄膜方块电阻测量仪试样中的感应电流产生与测量对象的片电阻相关的电磁...

表面光电压法（Surface Photovoltage Method，简称SPV法）是通过测量由于光照在半导体材料表面产生的表面电压来获得少数载流子扩散长度的方...

晶锭非接触方阻测试仪：晶锭，也叫单晶硅棒，是一种纯硅材料，在电子工业中被广泛应用。晶锭是一种长条状的半导体材料，通常采用Czochralski法或发明家贝尔曼的...

晶锭涡流法电阻率测试仪：电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种物质所制成的原件(常温下20°C)的电阻与横截面积的乘积与长度的比值叫做这种物质...

霍尔迁移率（Hall mobility）是指‌Hall系数RH与‌电导率σ的乘积，即│RH│σ，具有迁移率的量纲‌。其表达式为μH =│RH│σ。‌12定义和计...