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一韦仪器介电陶瓷固相合成制备解决方案 | PZT压电陶瓷全流程工艺参数与性能验证

检测样品:介电陶瓷

检测项目:工艺参数与性能

方案概述:PZT压电陶瓷固相合成涉及配料、球磨、预烧、成型、烧结、抛光,需协同。PbO高温挥发需过量(3~5 wt%),预烧温度850~900℃需均匀温场,烧结升温/保温/气氛影响致密化。本方案用一韦仪器实现高纯高致密制备。

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更新时间2026年07月21日

上传企业上海一韦仪器科技有限公司

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实验目的

介电/压电陶瓷(以PZT锆钛酸铅为代表)的固相合成制备涉及配料、球磨、预烧、成型、烧结、抛光等多个工艺环节,各环节设备参数需协同匹配。PbO在高温下具有显著挥发性,预烧及烧结阶段需过量添加(通常为35 wt%)以补偿挥发损失;预烧温度窗口狭窄(850900),需避免因炉膛温场不均导致的局部欠烧或过烧;烧结工序的升温速率、保温时间、冷却制度及烧结气氛均对致密化行为与晶粒异常生长产生显著影响。本方案旨在通过一韦仪器全流程协同设备,实现PZT压电陶瓷的高纯度、高致密化制备。

仪器与材料

·       设备:一韦仪器行星式球磨机PM500

img2 

·       CFA系列箱式气氛炉、

img3 

·       ES200振动筛分仪

img4 

·       研磨介质:氧化锆研磨罐(4×250mL+ 氧化锆/玛瑙磨球

·       样品:Pb₃OZrOTiONb₂OSrCO等原料粉体(纯度≥99%

实验步骤

按化学计量比称量Pb₃OZrOTiO原料(Pb过量35 wt%),微量掺杂剂Nb₂OSrCO采用FAB300E电子分析天平(精度0.0001 g)称量。原料与无水乙醇加入PM500行星式球磨机氧化锆研磨罐,转速350 rpm球磨46 h。球磨浆料于鼓风干燥箱中80恒温干燥4 h脱除乙醇。干燥粉料装入带盖刚玉坩埚,置于CFA系列箱式气氛炉(控温精度<1000±0.1≥1000±1),以5/min升温至850保温2.5 h进行预烧。预烧块体破碎后二次球磨细化,出料使用ES200振动筛分仪(测量范围20 μm125 mm,最大支持9层筛网叠加)配合200目不锈钢筛网干法筛分。造粒粉体填入模具,粉末压片机在1520 MPa压力下保压1 min,压制成12 mm×1.5 mm圆片素坯。素坯于CFA系列马弗炉中以2/min升温至550保温1 h排胶,再升温至1250保温2~3 h致密化烧结,全程通入氧气(流量0.5~1 L/min)。烧结陶瓷片使用抛光机经砂纸逐级粗磨,最后以0.5 μm Al₂O抛光液配合抛光布精抛,获得Ra≤0.1 μm镜面测试面。

实验数据

指标

参数/结果

PM500球磨出料粒度

D500.5 μm

CFA预烧温区均匀性

≤±5

ES200筛分目数

200目(75 μm

成型压力

15~20 MPa

烧结温度/保温时间

1250 / 2~3 h

烧结气氛

O₂流量0.5~1 L/min

抛光表面粗糙度

Ra≤0.1 μm

相对密度

≥98%

XRD物相

纯钙钛矿相,无焦绿石相或原料残余峰

压电应变常数d₃₃

450~500 pC/N

介电损耗

0.5%

方案总结

一韦仪器基于对介电/压电陶瓷固相合成制备工艺的深入理解,构建了覆盖配料称量(FAB300E,精度0.0001 g)、粉碎混合(PM500,出料D500.5 μm)、热处理(CFA系列,控温精度±0.1~±1)、成型(1520 MPa)、抛光(Ra≤0.1 μm)及辅助制备全流程的设备协同解决方案。在PZT压电陶瓷制备中经实验验证,可获得相对密度≥98%、纯钙钛矿相、压电应变常数450500 pC/N、介电损耗<0.5%的高性能陶瓷样品。该方案可拓展应用于BaTiO基介电陶瓷、微波介质陶瓷、NTC/PTC热敏陶瓷及ZrB基超高温陶瓷等功能陶瓷体系的研发与中试生产

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