使用单颗粒 ICP-MS 在反应模式下分析SiO2纳米颗粒

随着纳米技术的发展，纳米颗粒在各类产品和工艺中得到了广泛应用，人们对纳米颗粒的表征要求也越来越高。

 

针对各类产品和工艺，人们制造且应用了不同成分的纳米颗粒，如油漆、材料的强化、半导体工艺中的精细抛光，以及对药品和食品的除湿，防止其受潮。二氧化硅（SiO₂）纳米颗粒是日本第二大国产纳米材料，仅次于炭黑。¹

 

使用 ICP-MS 测量硅（Si）富有挑战性。等离子体中形成的 ¹⁴N₂+和 ¹²C¹⁶O+ 多原子离子，与丰度最高的 Si 同位素（²⁸Si ≈ 92 %丰度）的 m/z 相同。因此，当多原子离子未被去除时（标准模式下），m/z28 处的背景等效浓度非常高。它抑制了低水平 Si 的测定，让 SiO₂ 纳米颗粒的检测变得更加困难。此外，Si 的电离势相对较高，其电离也更具挑战性，导致其强度低于其它易电离的元素，如 Na。

 

然而，如果能提高信背比（S/B），就有可能检测到更小的 SiO₂ 纳米颗粒。在之前的应用报告中，² 我们介绍过 100 nm SiO₂ 纳米颗粒标准品可以使用 SP-ICP-MS 进行分析，且无需去除干扰（标准模式 下）。然而，如果能在反应模式下去除干扰，预期能精准测量更小的 SiO₂ 纳米颗粒。

 

本工作将讨论在反应模式下，通过 SP-ICP-MS 检测、测量和表征 SiO₂ 纳米颗粒的能力。