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一、设备概述
SPM光罩板槽式清洗机是半导体制造中用于清洁光刻掩膜版(光罩)的专用设备,核心工艺基于硫酸双氧水(SPM, Sulfuric Acid/Hydrogen Peroxide)湿法清洗技术。该设备通过多槽串联设计,结合化学腐蚀、超声波辅助、去离子水(DIW)冲洗及干燥等模块,高效去除光罩表面的金属污染(如Cu、Fe)、光刻胶残留、氧化物及纳米级颗粒(>0.1μm),确保光罩的图形精度和光刻良率。其广泛应用于制程(如5nm以下芯片)的光罩维护,适配12英寸及以上大尺寸晶圆对应的掩膜版清洗需求。
二、核心功能与技术特点
SPM强氧化去污
硫酸双氧水配方:利用H₂SO₄与H₂O₂的强氧化性,在高温(80~120℃)下分解有机污染物(如光刻胶)并氧化金属杂质,形成易溶于水的硫酸盐13。
兆声波辅助:高频(1MHz以上)兆声波产生微米级空化效应,增强药液渗透能力,避免光罩复杂图形(如线条、孔洞)的清洗死角14。
多槽模块化设计
典型流程:SPM清洗槽→SC-1碱性槽(NH₄OH/H₂O₂,去有机物)→DIW冲洗槽→真空干燥槽,支持多槽温度、时间独立控制13。
化学兼容性:槽体采用耐腐蚀材料(如PFA、PTFE),适应强酸/碱环境,防止交叉污染35。
高精度洁净度控制
颗粒过滤:集成0.1μm过滤器,确保冲洗水洁净度达到半导体级标准(如<10颗/mL≥0.2μm颗粒)13。
干燥防污染:可选配低温真空干燥或异丙醇(IPA)脱水,避免水渍残留导致光罩表面缺陷14。
自动化与安全性
PLC程序控制:支持参数预设、一键启动、数据记录(如清洗时间、温度、药液浓度),满足ISO追溯要求35。
安全防护:酸碱泄漏监测、防腐蚀密封门、排风系统及权限分级管理,确保操作安全35。
三、关键技术参数
参数 | 说明 |
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适用光罩尺寸 | 覆盖5英寸至12英寸及以上(适配制程) |
清洗工艺 | SPM(硫酸双氧水)、SC-1(碱性清洗)、DIW冲洗、真空干燥 |
温度范围 | 常温~120℃(SPM槽高温可调) |
颗粒过滤精度 | 0.1μm(DIW冲洗槽标配) |
产能 | 单次处理时间10~30分钟,支持24小时连续生产(工业级设备) |
兼容污染类型 | 金属污染(Cu、Fe)、光刻胶残留、氧化物、颗粒吸附 |
四、应用场景与优势
半导体制造
光罩维护:清洗重复使用的掩膜版,去除光刻胶、蚀刻残留及环境污染物,延长光罩寿命。
制程适配:满足5nm以下节点对光罩表面粗糙度(<0.1nm)和颗粒洁净度的严苛要求。
光刻工艺优化
图形保真度提升:通过清洁光罩图形边缘的污染物,减少光刻曝光中的图形畸变风险。
良率改善:降低因光罩污染导致的芯片缺陷率(如颗粒引起的短路或开路)。
成本效益
药液回收系统:支持SPM废液再生利用(如蒸馏回收硫酸),降低危废处理成本。
长寿命设计:耐腐蚀材料与模块化结构延长设备使用寿命,减少维护停机时间。