晶圆方阻测试仪 返回列表页

晶圆方阻测试仪供应商专注于非接触式半导体计量分析技术的开发和生产，攻克被国外卡脖子技术。

产品广泛应用于半导体、光伏、科研以及平板材料测试领域。借助公司*计量分析测试技术，为晶圆、碳化硅、硅片、封装测试等生产和品质监控，提供一整套完整测试和解决方案。

晶圆电阻率测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法低电阻率分析仪，晶锭电阻率分析仪，迁移率（霍尔）测试仪，少子寿命测试仪，方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形测量值都是一样的，不管边长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关，表征膜层致密性，同时表征对热红外光谱的透过能力，方块电阻测量数值愈大，则隔离热红外性能越差，方块电阻测量数值愈小则隔离热红外性能越好，对于建筑行业来讲低辐射玻璃的热红外性能测量的快速测量就必须选用方块电阻测量仪，测量值愈小则建筑材料就愈节能，在建筑材料行业具有很大的作用。

晶圆方阻测试仪技术参数：

样品尺寸：2"-8"或者16mm×16mm的方形样品；

迁移率测量范围：100-20000（cm2/v.sec)；

方块电阻测量范围：100-3000（ohm/sq)；

载流子面密度测量范围：1E11-1E14（cm-2）；

电磁铁磁场强度：1.0T；

探头线圈直径：15mm。