电子束光刻 CABL-9000C 系列 返回列表页

由于 EBL 刻写精度很高，因此写满整个 Wafer 需要比较长的时间，因此电子束电流，电子束定位， 电子束电流分布均一性在长时间内的稳定性就显得尤为重要，这对大范围内的图形制备非常关键。

CRESTEC CABL 系列采用其*的技术使其具有*的电子束稳定性以及电子束定位精度，在大范围内可以实现图形的高精度拼接和套刻。

Stitching accuracy for slant L&S ＜10nm

该图是在 2 英寸 wafer 上，采用 50 um 的图案进行拼接，写满整个片子，其拼接精度低于 10 nm.（实验室数据）。

CRESTEC CABL 系列还可以加工制备 10 nm 以下的线条，无论半导体行业还是在其它领域

CRESTEC 的电子束光刻产品都发挥了巨大的作用。

主要特点：

1.采用高亮度和高稳定性的 TFE 电子枪

2.出色的电子束偏转控制技术                                      3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达 0.0012nm

4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达 0.01mrad

5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。

电子束光刻 CABL-9000C 系列小线宽可达 8nm，小束斑直径 2nm，套刻精度

20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。

技术参数：                         1.小线宽：小于 10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV

3. 电 子 束 直 径 ： 小 于                2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ)                                    5.拼接精度：20nm(mean+2σ)                                    6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)

7.描电镜分辨率：小于 2nm