离子体灰化蚀刻系统 返回列表页

等离子体灰化蚀刻系统e3600采用zuixin的光刻胶去除技术,为去除晶圆光刻胶提供高效方案。可以在不改变硬件的情况下同时处理不同尺寸的晶圆。凭借紧凑的模块化设计，它可以以较低的拥有成本提供高吞吐量。
等离子体灰化/蚀刻系统特点
TCP 6KW射频等离子体或3KW微波等离子体
占地面积小，拥有成本低
单臂或双臂取放机器人
极低伤害的向下等离子体
高吞吐量>100 wph
用于100mm至200mm晶圆的双盒式支架
可选SMIF装载站
ULPA或HEPA系统
等离子体灰化/蚀刻系统应用
去除体光刻胶，
后LDI光刻胶条
聚合物去除
Descum处理
表面处理可提高Dep附着力
高剂量植入后条
氧化
各向同性蚀刻
MEMS
等离子体灰化/蚀刻系统晶圆处理工艺
灰化：剥离光刻胶。通常在离子注入或蚀刻之后进行。
Descum：去除前端晶圆上残留的光刻胶或聚酰亚胺，去除晶圆上的一小部分光刻胶。
蚀刻：对Si3N4、SiO2和多晶硅等材料进行各向同性蚀刻
表面处理：湿法刻蚀前表面活化，改善刻蚀工艺步骤，提高沉积前表面附着力。
清洁：可以在湿法蚀刻后进行等离子体清洁以完成清洁步骤，或者在DRIE后从过孔中去除聚合物等。