C波段紧凑型EDFA掺铒光纤放大器模块 参考价：面议
C波段紧凑型EDFA掺铒光纤放大器模块 1529-1564nm是一款全功能模块，采用70X90X15mm的MSA紧凑型封装，单频道窄带宽标准版本。一个标准的30...
Unilase UAW101S,1064.2nm光纤放大器 参考价：面议
Unilase UAW101S,1064.2nm光纤放大器 Nd:YVO4(掺钕钒酸钇)是一款高性能、紧凑的装置，能够从低功率种子激光器输出数十瓦的输出功率。微...
超快亚太赫兹探测器,响应时间 1μs 参考价：面议
超快亚太赫兹探测器,响应时间 1μs通过直接观察其脉冲响应函数证实响应时间小于150 ps。用广谱范围为0.1至3THz的，200nJ、1ps的激光脉冲激发该探...
InGaAsPD/APD-TIA光电模块 参考价：面议
InGaAsPD/APD-TIA光电模块特点：● 传输速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps● 高灵敏度● 工作波长范围：1260~1650nm●...
2mm扩展型大光敏面InGaAS光电探测器模块 参考价：面议
2mm扩展型大光敏面InGaAS光电探测器模块将光电二极管，放大电路和电源调理电路集成在一个小型化的模块内。不仅适用于各种实验室光学系统的搭建，也适用于在用户产...
InGaAs雪崩光电探测器 参考价：面议
InGaAs雪崩光电探测器 800-1700nm 100*100*25mm 响应度 9A/W具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。
InGaAs光电平衡探测器 参考价：面议
InGaAs光电平衡探测器 800-1700nm 响应度 0.95@1550nm具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共...
InGaAs单光子阵列探测器组件 950～1650nm 参考价：面议
InGaAs单光子阵列探测器组件 950～1650nm在盖革工作模式下，探测器组件各像元独立、自由运行，探测0.95 ~ 1.65 μ m的近红外波段范围内微弱...
16mm四象限Si光电探测器SIQ1600 参考价：面议
16mm四象限Si光电探测器SIQ1600：器件是N型硅象限探测器，当光辐射到器件各个象限的辐射通量相等时，则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时，由于...
APD芯片 四象限雪崩探测接收模块GD4516YB 参考价：面议
APD芯片 四象限雪崩探测接收模块GD4516YB其采用 InGaAs 四象限 APD芯片与低噪声跨阻抗放大器混合集成。铟镓砷(InGaAs)高灵敏度大光敏元 ...
2.0– 12.0 µm小型化MCT光伏型中红外探测器 参考价：面议
2.0– 12.0 µm小型化MCT光伏型中红外探测器是非制冷光伏探测器，基于HgCdTe异质结构，集成跨阻、直流耦合前置放大器。它能够在空间有限的长...
光电二极管放大器混合器 参考价：面议
混合系列光电二极管探测器放大器 Photop™系列 350nm-1100nm/200nm-1100nm采用集成封装，确保在各种工作条件下的低噪声输出...
数字集成光电二极管1 kHz 参考价：面议
数字集成光电二极管1 kHz , WL-IPD4B通用串行总线接口为虚拟串行端口(VCP)，以便直接轻松地集成到实验室控制软件(如LabView)中。通信使用基...
直流耦合 200 MHz InGaAs 低噪声光电探测器 参考价：面议
InGaAs差分光点低噪声光电探测器 WL-DPD200MA（200 MHz）是InGaAs的一款直流耦合高速差分 (“双平衡")光接收器。它具有高跨阻增益、低...
四级热电冷却红外光电探测器 参考价：面议
2-12μm 中红外MCT 四级热电冷却红外光电探测器 PV-4TE系列具有好的性能和稳定性。探测器在λopt时达到最佳性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏...
2-12μm中红外非冷却多结光伏MCT象限探测器 参考价：面议
2-12μm中红外非冷却多结光伏MCT象限探测器 PVMQ：是基于复杂的HgCdTe异质结构的非冷却红外多结光伏象限探测器，具有好的性能和稳定性。象限探测器由四...
1-12μm中红外非冷却光导型MCT象限探测器 参考价：面议
1-12μm中红外非冷却光导型MCT象限探测器PCQ应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作，由于1/f噪声，探测器在低频率下的性能会降低。PCQ探测器的主要应用是...
2-5.5μm红外两级TE冷却InAs光伏探测器 参考价：面议
2-5.5μm红外两级TE冷却InAs光伏探测器 PVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的两级TE冷却红外光伏探测器。该设备具有高达300℃的温...
2-12μmMCT 光浸式红外非冷却光电磁探测器 参考价：面议
光电磁MCT红外光伏探测器 2.0-12.0um PEMI系列在10.6 μm处探测性能最佳，是一款特别适用于探测连续波和低频调制辐射的大感光面探测器。这款探测...
3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 参考价：面议
3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt时达到好性能。波长分割可根据需求进行优化。反向偏置电压可以在显著提高响应...
中红外非制冷光电探测器 参考价：面议
2.5-6.5μm MCT碲镉汞 中红外非制冷光电探测器 PVI系列是基于复杂的MCT异质结构的非制冷红外光电探测器，采用光学浸没的方式提高器件的性能参数，使其...
红外两级TE冷却InAs光浸式光伏探测器 参考价：面议
2-5.5μm红外两级TE冷却InAs光浸式光伏探测器 PVIA-2TE系列具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用，且不含汞和镉，符合RoHS指标要求。带有...
2.15-3.5μm 红外非冷却光浸式InAs光伏测器 参考价：面议
2.15-3.5μm 红外非冷却光浸式InAs光伏测器 PVIA系列具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用，且不含汞和镉，符合RoHS指标要求。
1-12μm MCT非冷却光电导探测器 PC系列 参考价：面议
1-12μm MCT非冷却光电导探测器 PC系列是基于复杂MCT异质结构的非冷却红外光电导探测器，具有好的性能和稳定性。器件在λopt时达到最佳性能。设备应该在...
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