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目录:筱晓(上海)光子技术有限公司>>光电探测器>>砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb>> 红外两级TE冷却InAs光浸式光伏探测器

红外两级TE冷却InAs光浸式光伏探测器
  • 红外两级TE冷却InAs光浸式光伏探测器
参考价 面议
具体成交价以合同协议为准
参考价 面议
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  • 品牌 其他品牌
  • 型号
  • 厂商性质 经销商
  • 所在地 上海
属性

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更新时间:2024-12-04 09:34:57浏览次数:1153评价

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产地类别 进口 应用领域 化工,能源,建材/家具,电子/电池
2-5.5μm红外两级TE冷却InAs光浸式光伏探测器 PVIA-2TE系列具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用,且不含汞和镉,符合RoHS指标要求。带有3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰影响。

PVIA-2TE系列是基于InAsSb合金的两级TE冷却红外光探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用,且不含汞和镉,符合RoHS指标要求。带有3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰影响。

产品特点

可探测红外波长范围2-5.5μm

采用两级TE冷却有效提高探测效率

可配专用前置放大器

高温度稳定性与机械耐久性

带有超半球微型砷化镓透镜以实现光学浸没,提升探测器的性能

封装及尺寸

TO8型封装外形尺寸图

23.jpg

参量

数值

浸没微型透镜形状

超半球形

光学区域面积AO;mm×mm

1×1

R,mm

0.8

A,mm

3.2±0.30

备注:

ϕ—接收角度;

R—超半球微型透镜半径

A—2TE-TO8型封装顶部下表面与焦平面的距离


2TE-TO8引脚定义

功能

PIN号

探测器

1,3

反向偏压(可选)

1(-),3(+)

热敏电阻

7,9

TE冷却器供应

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12

产品应用

医学热成像

红外光谱分析

中红外气体吸收检测

中红外激光探测

技术参数

参数

探测器型号

PVIA-2TE-3

PVIA-2TE-5

有源元件材料

外延InAs异质结构

外延InAsSb异质结构

起始波长λcut-on (10%), μm

2.1±0.2

2.4±0.2

峰值波长λpeak(μm)

2.9±0.3

4.7±0.3

截止波长λcut-off (10%), μm

3.4±0.2

5.5±0.2

相对响应强度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W

≥5×1011

≥4×1010

电流响应度Ri(λpeak),A/W

≥1.3

≥1.5

时间常数T,ns

≤15

≤5

电阻R,Ω

≥200K

≥1K

元件工作温度Tdet,K

~230

感光面尺寸A,mm×mm

1×1

封装

TO8

接收角Φ

~36°

窗口

wAl2O3


探测器光谱响应特性曲线

PVIA-2TE1.jpeg

热敏电阻特性曲线

PV-2TE1.jpeg

两级TE冷却参数表

参量

数值

Tdet , K

~230

Vmax , V

1.3

Imax , A

1.2

Qmax , W

0.36


抗反射涂层窗口光谱透过率曲线

5.png



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