高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nm TO-39封装 参考价：面议
高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nm TO-39封装
高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39封装 参考价：面议
高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nm TO-39封装
高速铟镓砷PIN光电二极管 800nm~2600nm (1.5mm光敏直径 TO-39密封圆顶透镜封 参考价：面议
高速铟镓砷PIN光电二极管 800nm~2600nm (1.5mm光敏直径 TO-39密封圆顶透镜封装)
铟镓砷 InGaAs 超大光敏面PIN光电二极管（900-1800nm，直径10mm) 参考价：面议
便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测...
铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP2000/2.2 参考价：面议
铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP2000/2.22.2um扩展型InGaAs光电二极管响应截止波长达到2.2um,提供了...
铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP3000/2.2 参考价：面议
铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP3000/2.22.2um扩展型InGaAs光电二极管响应截止波长达到2.2um,提供了...
InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型) 参考价：面议
InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型)InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单 光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效...
InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 （内置TEC制冷型） 参考价：面议
铟镓砷 InGaAsInGaAs PIN光电二极管 φ2mmInGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm...
铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ2mm 参考价：面议
铟镓砷 InGaAsInGaAs PIN光电二极管 φ2mmInGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm...
铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ0.3mm 参考价：面议
铟镓砷 InGaAsInGaAs PIN光电二极管 φ0.3mmInGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 ...
铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm 参考价：面议
铟镓砷 InGaAsInGaAs PIN光电二极管 φ3mmInGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm...
2mm大光敏面InGaSe光电探测器 参考价：面议
2mm大光敏面InGaSe光电探测器是一个全色PIN光电二极管，截止波长高达2700nm。它使用的是InGaAs材料，三元化合物半导体InGaAs材料用于制作各...
4