光刻胶去除剂

›EUV Surfactant Rinse (SR) – 适用于极紫外光刻胶的防图案坍塌技术

›EUV Mask Cleans (MC) – 无关键尺寸（CD）损失的掩膜清洗技术

›Si Etchant –高选择性硅蚀刻试剂系列（针对 二氧化硅/氮化硅的硅蚀刻）

›Eco-friendly cleans solutions – 无 NMP、无邻苯二酚，SPM 及 TMAH 的替代工艺

相关产品

光刻胶去除剂与剥离剂

›EKC830 –正性光刻胶去除

›EKC865 –在不损伤敏感金属的前提下去除正性光刻胶（在使用 Remover 1165的时候）

›EKC922 –在不损伤固化或半固化聚酰亚胺的前提下，同时去除正性和负性光刻胶

LED、TSV、WLP 清洗试剂

›EKC162–用于去除作为 TSV（硅通孔）掩膜的光刻胶；兼容通过焊料电镀或模板印刷实现的晶圆凸块工艺，适用于铜（Cu）和砷化镓（GaAs）材料

›EKC175–为去除基于等离子体工艺的类似 TSV（硅通孔）的光刻胶残留物，需具备可水洗且与铝兼容的特性

›EKC830–为去除干法刻蚀 TSV（硅通孔）工艺中形成的顽固刻蚀后残留物，以实现无缺陷的通孔填充工艺

›EKC922 –用于去除负性光刻胶，兼容砷化镓（GaAs）及种类极其广泛的金属材料

用于铝（Al）和铜（Cu）互连结构的蚀刻后残留物去除剂（PERR）

›EKC265–用于去除蚀刻工艺后产生的光刻胶残留物，无论是否经过氧灰化处理均有效

›EKC270(T)–用于去除灰化后的光刻胶残留物、有机聚合物及有机金属蚀刻残留物，同时提升了与钛（Ti）的兼容性。

›EKC2100–用于清洁蚀刻后残留物，适用于单晶圆设备，与低温氧化物（LTO）和氧化铟锡（ITO）具有良好的兼容性

›EKC6800–用于清洁蚀刻后残留物的系列产品，与铝（Al）和铜（Cu）互连结构兼容，具备低工艺温度特性

›EKC580/EKC590–用于去除铜（Cu）互连结构蚀刻后残留物的半水性化学制剂，与超低介电常数（ULK）电介质薄膜兼容

PCMP清洗剂适用于前端工艺（FEOL）中的氧化铈、多晶硅、二氧化硅材料，中端工艺（MEOL）中的钨材料，以及后端工艺（BEOL）中的铜材料制程

›PCMP2110系列–氧化铈浆料化学机械抛光（CMP）清洗产品，专为前端工艺（FEOL）、中间段工艺（MEOL）及存储阵列层中使用氧化铈 CMP 浆料后晶圆的清洗而设计

›PCMP3210系列–化学机械抛光（CMP）后钨互连清洗产品，兼容钨（W）和钴（Co）材料，在 TEOS（四乙氧基硅烷）或氮化硅（SiN）表面具有极低的缺陷率

›EKC2100–用于清洁蚀刻后残留物，适用于单晶圆设备，与低温氧化物（LTO）和氧化铟锡（ITO）具有良好的兼容性

›PCMP5600系列–化学机械抛光后铜互连结构清洗液（PCMP5610/5620/5615/5650）