进口ALD设备:ALD原子层沉积可以满足膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在...
等离子体增强MOCVD:针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有5个鼓泡装置(各带独立的...
金属有机化学气相沉积系统MOVPE设备:针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助(PA-MOCVD),该系统具有5个鼓泡装置(各带独立的冷却槽)...
NMC-4000(M)PA-MOCVD设备:针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有5个...
NMC-4000(A)全自动PAMOCVD系统:针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有...
NMC-4000(M) MOCVD设备:NANO-MASTER针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD...
NMC-3000等离子辅助MOCVD系统:针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有5个鼓...
NLD-4000(ICPM)PEALD系统:ALD原子层沉积可以满足准确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体...
NLD-4000(ICPA)全自动PEALD系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于...
NLD-3500(A)全自动原子层沉积设备:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体...
NLD-3500(M)原子层沉积系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的...
NLD-4000(A)全自动原子层沉积系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体...
NLD-4000(M)原子层沉积系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的...
NLD-3000原子层沉积系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性...
NMC-4000 MOVPE设备:针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有5个鼓泡装置(...
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