多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。

多晶硅，灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。目前，对硅材料中各种杂质进行检测前通常采用酸溶法或碱熔法消解处理后才能进行杂质含量分析。在选用溶剂时一般要考虑被测元素能否迅速、*溶解。试样处理过程中要考虑被测元素的挥发损失；被测元素是否会与其他被测组分生成不溶性物质；过量溶剂可能对分析结果产生的干扰(如污染和干扰效应等)；是否损伤容器。碱熔法基本使用氢氧化钠溶解样品，产物硅酸钠易水解形成硅酸难以消除基体硅对测定的影响，而且在光谱、质谱分析过程中容易堵塞炬管。

本文采用酸溶法溶解多晶硅样品，探究一个适用于国内市场上所售多晶硅样品有效的消解体系和消解手段。研究了消解中水、氢氟酸和硝酸的用量，比较了超声助消解、水浴加热助消解和微波助消解对消解效果的影响。

实验部分

实验仪器

电子分析天平

智能石墨消解仪（格丹纳公司，D4）

超声波清洗器

水浴锅（格丹纳公司）

微波消解仪（格丹纳公司，A8）

电热鼓风干燥箱

超纯水机

• 高通量微波消解仪

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• D6智能石墨消解仪

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