SOI and Direct Wafer Bond 晶圆键合机

　　EVG 850 LT

　　Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding

　　EVG 850LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统

　　自动化生产键合系统，适用于多种融合/分子晶圆键合应用

　　晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统和具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，融合了熔合的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。

　　特征

　　利用EVG的LowTemp™等离子激活技术进行SOI和直接晶圆键合

　　适用于各种融合/分子晶圆键合应用 ;生产系统可在高通量，高产量环境中运行

　　盒到盒的自动操作(错误加载，SMIF或FOUP); 无污染的背面处理

　　超音速和/或刷子清洁; 机械平整或缺口对齐的预粘合

　　先进的远程诊断技术数据

　　晶圆直径(基板尺寸)100-200、150-300毫米

　　全自动盒带到盒带操作

　　预粘接室

　　对齐类型：平面到平面或凹口到凹口

　　对准精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°

　　结合力：zui高5 N

　　键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活

　　真空系统：9x10-2 mbar(标准)和9x10-3 mbar(涡轮泵选件)

　　LowTemp™等离子激活模块

　　2种标准工艺气体：N2和O2，以及2种其他工艺气体：高纯度气体(99.999%)，稀有气体(Ar，He，Ne等)和合成气(N2，Ar和H4含量zui高)

　　通用质量流量控制器：zui多可对4种工艺气体进行自校准，可对配方进行编程，流速zui高可达到20.000 sccm