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应用领域 | 电子,航天,电气 |
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850 SOI的自动化生产键合系统适用于多种融合/分子晶圆键合应用。SOI晶片是微电子行业有望生产出更快,性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术,可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产粘合系统,SOI粘合的所有基本步骤-从清洁和对准到预粘合和红外检查-都结合了起来。因此,EVG850确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。 EVG850是在高通量,高产量环境下运行的生产系统,已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。
850 SOI的自动化生产键合系统特征
生产系统可在高通量,高产量环境中运行
自动盒带间或FOUP到FOUP操作
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对齐的预粘合
先进的远程诊断
技术数据
晶圆直径(基板尺寸):100-200、150-300毫米
对齐类型:平面到平面或凹口到凹口
对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°
结合力:高5 N
键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活
真空系统:9x10-2 mbar(标准)和9x10-3 mbar(涡轮泵选件)
清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选)
腔室:由PP或PFA制成(可选)
清洁介质:去离子水(标准),NH4OH和H2O2(大)。 2%浓度(可选)
旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成
旋转:高3000 rpm(5 s)
清洁臂:多5条介质线(1个超音速系统使用2条线)
可选功能:ISO 3迷你环境(根据ISO 14644); LowTemp™等离子活化室
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