高温电阻测量系统

RMS1000S系列高温半导体材料电阻率测量系统主要用于半导体材料导电性能的评估和测试，该系统采用四线电阻法测量原理进行设计开发，可以在高温、真空气氛的条件下测量半导体材料电阻和电阻率，可以分析被测样品电阻和电阻率随温度、时间变化的曲线。

目前主要针对圆片、方块、长条等测试样品进行测试，广泛用于半导体材料硅(si)、锗(ge)、化合物半导体材料砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)三元化合物半导体GaAsAl、GaAsP,固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP等的块体材料的电阻率测量。

高温电阻测量系统功能特点

² 针对性质不同的材料开发相应的测试系统

² 多种保护措施，确保测试安全

² 温度范围广：RT～600℃/1000℃

² 可实现惰性、氧化、还原、真空等多种气氛测量

² 样品压力大0.25N，保证测量过程不损坏样品

² 上电极半球状+下电极平板状设计，可以精确定位测量被测样品某一点

半导体材料-2W法

半导体2W法计算公式

ρ=RS/L=Vs/IL

ρ =以厘米-欧姆为单位的电阻率

V =加载样品上的电压或电压源输出电压

l =表示流过样品的电流或电流源输出电流

L =表示样品的厚度

S =表示样品横截面积