电阻测量和监控对于任何使用导电薄膜的行业都至关重要，从半导体制造到可穿戴技术所需的柔性电子产品。R50薄膜电阻测试仪(四探针、电涡流)在金属膜均匀性分布、离子掺杂和注入表征、薄膜厚度和电阻率分布、以及非接触膜厚等量测均进行了优化加强。

1.薄膜电阻测试仪四点探针法（4PP）

四个导电探针以可控力接触导电层表面，被测导电层和衬底之间有非导电层挡层。标准4探针是在两个外部探针之间施加电流并在两个内部探针之间测量电压。测量电阻时，导电层厚度应小于两个探针之间距离的1/2。

R50薄膜电阻测试仪(四探针、电涡流)开创了双模技术，该技术允许测量间隔探针上的电压，并配置了边界效应动态校正和探针间距误差补偿功能。

2.电涡流法（EC）

线圈施加时变电流以产生时变磁场，该磁场靠近导电表面时，该表面产生感应时变电流（涡流）。这些电涡流也会产生时变磁场，该磁场与探针线圈耦合并产生与样品的电阻成比例的信号变化。

单个探头位于样品顶部，可以动态的调整每个测量点的探头高度，这对测量的准确性和重复性至关重要。该方法不受探头尺寸或表面氧化的影响，非常适合较软的或其它不适用于接触法测量的样品。