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安徽泽攸科技有限公司,是一家具有独立自主知识产权的先进装备制造公司。公司集研发、生产和销售业务于一体,现有两个系列核心产品:PicoFemto 系列电子显微镜原位测量系统 ZEPTOOLS 系列台式扫描电子显微镜 了解详情
泽攸科技原位TEM技术:国产精密表征仪器的创新突破与行业赋能
2026 03-03
泽攸科技原位TEM技术:国产精密表征仪器的创新突破与行业赋能

泽攸科技作为具备完全自主知识产权的精密仪器高科技企业,其核心竞争力植根于长期的自主创新积淀与全国性的研发服务布局。公司成立以来,专注于高端精密仪器研发,将原位样品杆、原位TEM样品杆等关键组件作为核心

  • 2024 10-15
    国产扫描电镜重磅!泽攸科技台式场发射扫描电镜发布

    在全球科技竞争日益激烈的今天,中国科技企业正在以令人瞩目的速度崛起。近日,高端精密仪器公司泽攸科技再次向世界展示了中国的创新实力,推出了自主研发的产品:ZEMUltra场发射台式扫描电镜,标志着国产精

  • 2022 08-25
    泽攸科技亮像2022宁波复合材料界面论坛

    先进聚合物基复合材料以其高比强、高比模、耐腐蚀、耐辐照、抗疲劳性能好、性能可设计性强、便于整体成形,以及综合性能优异等特点而在航空、航天、兵器、舰船和电子等领域获得广泛应用。界面作为复合材料*的组成部

  • 2022 06-20
    新突破-国产化台阶仪 JS100A

    近期我司新推出了自主研发的全国产化台阶仪JS100A,实现了同类产品国产品牌零的突破。该产品具有高精度、高分辨率,搭配一体花岗岩结构,提供稳定可靠的重复性测量。JS100A采用金刚石探针,提供多种可选

  • 2022 04-11
    泽攸科技的2021

    安徽泽攸科技有限公司(以下简称”泽攸科技“),是一家具有*自主知识产权的先进装备制造公司。公司集研发、生产和销售业务于一体,向国内外客户提供完备的原位电镜解决方案、扫描电子显微镜等设备。泽攸科技拥有一

Technology Center

技术中心
  • 04-292026
    泽攸科技DMD无掩膜光刻机 | 高性能二维二硒化钯长波红外焦平面阵列的制备

    长波红外探测技术在军事、医疗及工业安防领域具有核心应用价值,其探测波段与室温物体的热辐射峰值高度契合,是实现非制冷热成像的关键。目前氧化钒和非晶硅凭借优异的电阻温度系数和可调的电阻率,已成为非制冷红外

  • 04-282026
    什么才是真实结构?光学、电子与尺度的差异

    人们在日常经验中往往默认“看见即真实”,但当观察对象进入微米甚至纳米尺度时,这一直觉开始变得不再可靠。我们之所以“看不到真实结构”,并不是因为结构本身不存在,而是因为任何观测手段都在对物理世界进行某种

  • 04-282026
    原位TEM揭示电场诱导相变驱动的氮化物基非挥发性存储器

    随着物联网、人工智能及大数据分析技术的广泛普及,现代信息系统对数据存储容量与处理速度的需求正呈现出指数级增长的态势。为了解决中央处理器与挥发性主存储器之间由数据传输瓶颈引发的“存储墙”问题,业界提出了

  • 04-282026
    原位TEM助力揭示不饱和二硫化钼诱导的超快钠离子动力学

    室温钠硫电池凭借低廉的成本、丰富的资源储量的理论能量密度,被广泛认为是未来大规模储能系统的关键技术方案。在当前的研究现状中,为了克服多硫化物的穿梭效应,研究者们多采用多孔碳框架进行物理限制,或利用极性

  • 04-232026
    高精度测量工具在精密制造中的作用是什么?

    精密制造里有一个现实很少被正面讲清楚:工件做出来之后,你怎么知道它合格?靠感觉不行,靠经验也不够,最终还是要靠测量。测量这件事听起来像配角,但在整条制造链上,它其实承担着「定性」的职能——是它在判断一

  • 04-082026
    原位TEM助力突破三维存储选择器超低漏电流性能瓶颈

    存储芯片集成密度的提升对于大容量存储和并行计算至关重要,这要求三维叠层交叉点架构中的选择器组件具备极低的漏电流和适当的阈值电压。目前三维相变存储器主要利用双向阈值开关选择器控制存储单元的通断,其访问性

  • 04-072026
    从像素到纳米:图案数字化,正在改写微纳加工的底层规则

    在制造技术的发展语境中,“图案”始终扮演着一个核心却又常被忽视的角色。从最早的机械模板,到后来的光刻掩膜,再到如今逐渐普及的数字化图案生成手段,人类对图案的控制能力不断提升,而制造方式也随之发生变化。

  • 03-312026
    Nature子刊 | 基于泽攸科技原位TEM技术的亚10纳米金属互连线逆风电迁移观测

    在纳米电子器件领域,微型化与高集成度的快速发展对纳米组件在运行条件下的原子尺度稳定性提出了严峻挑战。随着器件尺寸缩减至亚10纳米级别,电迁移现象成为制约其可靠性的核心瓶颈,即在高密度电流驱动下,原子发


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