MnBi4Te7晶体，磁性拓扑绝缘体MnBi4Te7是一种由锰（Mn）、铋（Bi）和碲（Te）元素组成的化合物，通常表现为层状结构的晶体材料。这种化合物属于多铁...

MnBi4Se7晶体，磁性拓扑绝缘体MnBi4Se7是一种由锰（Mn）、铋（Bi）和硒（Se）元素组成的化合物，通常呈现出层状结构的晶体材料。这种化合物属于多铁...

Mn2Bi2Te5晶体，磁性拓扑绝缘体Mn2Bi2Te5是一种由锰（Mn）、铋（Bi）和碲（Te）元素组成的化合物，也属于层状热电材料的一种。类似于Mn2Bi2...

Mn2Bi2Se5晶体，磁性拓扑绝缘体Mn2Bi2Se5是一种多元化合物，由锰（Mn）、铋（Bi）和硒（Se）元素组成，属于层状热电材料的一种。它拥有拓扑绝缘体...

IiTe3晶体，半导体IiTe3代表一种由铟（In）、硅（Si）和碲（Te）元素组成的化合物。这种化合物属于层状化合物，具有晶体结构。IiTe3是一种可能具有电...

Ib晶体，拓扑绝缘体Ib是一种重要的半导体材料，由铟（In）和锑（Sb）元素组成。它拥有锑化铟的晶体结构，属于III-V族化合物半导体。Ib在电子学和光电子学领...

InBi晶体，拓扑绝缘体InBi是铟铋化合物，是由铟（In）和铋（Bi）元素组成的化合物。它通常是一种半导体材料，具有晶体结构和物理性质。拓扑绝缘体是一种量子材...

In3SbTe2晶体，相变材料In3SbTe2是由铟（In）、锑（Sb）和碲（Te）元素组成的化合物，属于铟锑碲族化合物。这种化合物可能具有层状的结构，并且可能...

In2Te5晶体，拓扑材料In2Te5是由铟（In）和碲（Te）元素组成的化合物，具有层状结构。这种化合物可能显示出一些电学、光学或磁学性质，因其层状结构，可能...

In2P3Se9晶体，拓扑材料In2P3Se9是一种由铟（In）、磷（P）和硒（Se）元素组成的化合物。In2P3Se9可能具有晶体结构和性质，可能在半导体领域...

In2GaBi2S6晶体，拓扑材料In2GaBi2S6是由铟（In）、镓（Ga）、铋（Bi）和硫（S）元素组成的化合物。这种化合物可能具有晶体结构和性质。由于其...

HgPSe3晶体，拓扑绝缘体HgPSe3代表的是由汞（Mercury，Hg）、磷（Phosphorus，P）和硒（Selenium，Se）元素组成的化合物。这种...

HfS3晶体，拓扑绝缘体HfS3代表的是由铪（Hafnium，Hf）和硫（Sulfur，S）元素组成的化合物。它可能具有层状的结构，类似于其他硫化物和层状材料。

GeSb4Te7晶体，拓扑绝缘体GeSb4Te7是一种由锗（Ge）、锑（Sb）和碲（Te）元素组成的化合物，属于锑碲族化合物。这种化合物属于相变材料，具有重要的...

GeBi4Te7晶体，拓扑绝缘体GeBi4Te7是一种由锗（Ge）、铋（Bi）和碲（Te）元素组成的化合物，属于铋碲族化合物。这种化合物在研究中显示出多铁性质，...

GeBi2Te4晶体，拓扑绝缘体，红外材料GeBi2Te4是一种由锗（Ge）、铋（Bi）和碲（Te）元素组成的化合物，属于铋碲族化合物。这种化合物属于拓扑绝缘体...

GaGeTe晶体，拓扑绝缘体，半导体GaGeTe是由镓（Ga）、锗（Ge）和碲（Te）元素组成的化合物。这种化合物可能具有半导体或者拓扑绝缘体的性质，具体取决于...

CuI2晶体，拓扑材料CuI2是一种由铜（Cu）、铟（In）和硫（S）元素组成的化合物，属于硫化物材料。这种化合物具有半导体性质，通常呈现为多晶体或薄膜的形式。...

CuInP2Se6晶体，拓扑材料，半导体CuInP2Se6是一种由铜（Cu）、铟（In）、磷（P）、硒（Se）元素组成的化合物，通常表现为层状结构的晶体材料。这...

CuBi3PbS6晶体，拓扑绝缘体CuBi3PbS6是一种由铜（Cu）、铋（Bi）、铅（Pb）和硫（S）元素组成的化合物，通常表现为层状结构的晶体材料。这种化合...