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| 供货周期 | 一周 | 应用领域 | 化工 |
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CuInS2晶体，拓扑材料
材料名称：CuInS2晶体
性质分类：拓扑材料，半金属，红外材料
禁带宽度：0.05 eV
合成方法：CVT
剥离难易程度：中
保存注意事项：晶体稳定，但表面容易氧化
CuInS2晶体，拓扑材料
CuInS2是一种由铜（Cu）、铟（In）和硫（S）元素组成的化合物，属于硫化物材料。
这种化合物具有半导体性质，通常呈现为多晶体或薄膜的形式。CuInS2是一种II-III-VI族化合物半导体，具有光伏和光电应用潜力。它在太阳能电池和光电子器件中被广泛研究，因为它具有适中的带隙能量和良好的光电特性。
其优良的光学和电学性质使其在薄膜太阳能电池、光电探测器和光电池件等领域有广泛应用。CuInS2作为光伏材料之一，其研究在太阳能转换技术领域具有重要意义。
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以上资料来自西安昊然生物小编JMY 2023.12.14.
以上文中提到的产品仅用于科研，不能用于人体及其他用途。
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