Cu3SbS3晶体，拓扑绝缘体Cu3SbS3是一种由铜（Cu）、锑（Sb）和硫（S）元素组成的化合物，通常表现为层状结构的晶体材料。这种化合物属于半导体材料的一...

碘化铬晶体，CrI3碘化铬（Chromium iodide）是由铬（Chromium，Cr）和碘（Iodine，I）元素形成的化合物。它有几种不同的物种，如Cr...

CrBi4Te7晶体，拓扑材料CrBi4Te7是由铬（Cr）、铋（Bi）和碲（Te）元素组成的化合物，属于多铁材料的一种。

CrBi2Te4晶体，拓扑材料CrBi2Te4是由铬（Cr）、铋（Bi）和碲（Te）元素组成的化合物，属于拓扑绝缘体的一种。这种化合物在研究中引起了一定的关注，...

拓扑绝缘体，CrTe2晶体CrTe2是由铬（Cr）和碲（Te）元素组成的化合物，通常呈现出层状结构的晶体材料。这种化合物属于过渡金属碲化物，具有一定的磁性和电学...

Cr2Si2Te6晶体， CiTe3，磁性拓扑绝缘体Cr2Si2Te6在自旋电子学和磁性存储方面有着一定的研究价值。它显示出可调控的磁性和自旋特性，这使得它在信...

二硫化三铬晶体，Cr2S3Cr2S3呈现出不同的晶体结构，如六方晶系或三方晶系。它是一种过渡金属硫化物，具有一定的磁性和光学性质。Cr2S3具有磁性，在研究磁学...

Cr2Ge2Te6晶体， CrGeTe3，磁性拓扑绝缘体Cr2Ge2Te6在自旋电子学领域有一定的应用潜力，因为它显示出可调控的磁性和自旋特性。它还可能用于存储...

银铟磷硒晶体，AgInP2Se6AgInP2Se6是一种二维层状结构材料，具有优异的非线性光学性能，这使得它在光电子学中具有潜在的应用价值，尤其是在光学调制器、...

碲化银晶体 Ag2Te碲化银化学式Ag2Te。分子量 343.34。灰色立方系晶体或粉末。熔点955℃，相对密度8.5。制法：在高温下（以使过剩的碲挥发）和氢气...

CoBi4Se7晶体，拓扑材料合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米用途：仅用于科研，不能用于人体

CoBi4Te7晶体，磁性拓扑绝缘体合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米用途：仅用于科研，不能用于人体

CoBi2Te4晶体，拓扑材料合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米 用途：仅用于科研，不能用于人体

Co2Bi2Te5晶体，拓扑材料合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米用途：仅用于科研，不能用于人体

CdPS3晶体，拓扑材料晶体大小：5～10 mm纯度：99%表征方法：EDS，SEM，Raman禁带宽度：1.7eV用途：仅用于科研，不能用于人体

BiSe晶体，拓扑绝缘体合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米 用途：仅用于科研，不能用于人体

Bi4Pb7Se13晶体，拓扑绝缘体禁带宽度：0.94eV合成方法：CVT晶体结构：monoclinic剥离难易程度：中用途：仅用于科研，不能用于人体

碲化铋晶体，Bi2Te3Crystal碲化铋是一种窄带隙半导体材料，由铋和碲元素组成。这种材料使其在红外波段具有较高的光电转换效率，因此在红外探测和传感领域有很...

硒化铋晶体，Bi2Se3硒化铋是一种化合物，由铋和硒元素组成。它是一种半导体材料，具有特殊的电学和光学性质。硒化铋晶体应用于光电子学和红外探测器等方面的领域，被...

硒氧铋晶体，Bi2O2Se晶体大小：3～10 mm晶体种类：Magnetic semiconductor，红外半导体，拓扑材料，热电材料纯度：99%表征方法：E...