SIRM红外体微缺陷分析仪 参考价：面议
SIRM是非接触和非破坏型光学检测设备，对体微缺陷，如氧化物和金属沉淀，位错、堆垛层错，体材料中的滑线和空隙等进行测试。这个技术也可对GaAs 和 InP等复合...
LST体微缺陷测试设备 参考价：面议
LST是检测半导体材料的体微缺陷有力工具，通过CCD相机，对入射光在样品边沿的散射进行扫描，获得体微缺陷分布信息。
非接触迁移率测试系统 参考价：面议
LEIModel1605，是非接触迁移率测试系统，可对各种半导体材料和器件结构进行测试。无需制样，消除了样品制备引起的迁移率变化。
非接触方块电阻测试系统 参考价：面议
LEI88 是针对科研类客户开发的产品，具备非接触快速测试方块电阻和电导率功能。
非接触Hall和方块电阻测试系统 参考价：面议
非接触Hal和方块电阳测试系统，可对GaAs,InP,InAs,GaN,AIN,Si,SiC等各种半导体材料设计的HEMTs,pHEMTs,HBTs,FETs器...
SRP 扩展电阻测试 参考价：面议
SRP 测试系统，采用扩展电阻率技术(SRP)，对载流子浓度和电阻率随深度的变化做快速测试。
准稳态-光致发光测试设备 参考价：面议
准稳态-光致发光可以将QSS准稳态少子寿命测试和PL光致发光技术相结合，快速获得样品的少子寿命分布图谱信息。
光致发光检测设备 参考价：面议
光致发光主要对材料能带结构，杂质浓度和缺陷，组分机理以及材料质量进行检测。WT-2000PL专门针对PL应用开发，具有非接触，快速，可变温，光斑等特点。
PV-2000A 光伏多功能扫描系统 参考价：面议
Semilab PV-2000A是业界功能最（zui）先进的，用于晶硅太阳能电池片生产及光伏工艺研发的非接触电学表征系统,以满足硅片到成品电池片不同工艺控制的测...
汞探针测试 参考价：面议
LEI Model2017B，通过汞探针接触方法，对各类半导体材料的载流子浓度分布进行测试，特别适合GaN.SiC等化合物材料。
汞CV测试系统 参考价：面议
汞CV测试系统，用于对外延或前道工艺中的non-pattemed晶片做汞C-V测试;MCV-530L可测最大200mm的样品。
CV-1500非接触CV测试系统 参考价：面议
CV-1500，用于测试界面和介电层的科研平台，基于SDI Corona-Kelvin技术，可以进行非接触C-V/I-V测试。
深能级瞬态谱测试仪 参考价：面议
深能级瞬态谱仪(DLTS)是检测半导体材料和器件缺陷和杂质的最好技术手段，它可以测定各种深能级相关参数，如深能级，俘获界面，浓度分布等。
纳米压痕测试设备 参考价：面议
对小体积样品材料力学性质进行定量化测试的关键技术。
拉曼光谱分析 参考价：面议
拉曼光谱用来测试材料应力，掺杂浓度和sheet& pattem等。从散射光的能量转移，强度和偏振等方面可以获取样品丰富信息,如:结晶取向，组分，机械应力，掺杂和...
原子力显微镜 参考价：面议
原子力显微镜使用非常小的探针，扫描样品表面，在原子尺度探测样品形貌。Semilab的AFM设备，可灵活配置和测试，具备优异测试稳定性和可靠性。
反射谱成像技术 参考价：面议
iSR是一种微光斑测试技术，用于实时刻蚀和Halftone工艺中的厚度测试
光谱型椭偏仪 参考价：面议
光谱型椭偏仪是多功能薄模测试系统，适合各种薄材料的研究。
少子寿命/ μ LBIC变温测试系统 参考价：面议
WT-2000MCT/μ LBIC 适用于对超低温有特殊要求的材料，比如HgCdTe,InSb,GaAs,InGaAs等，它已被广泛用于化合物材料的缺陷，杂质和...
WT-2000半导体多功能测试 参考价：面议
WT-2000提供349nm，904nm，1064nm，1550nm等不同激发光，适合Si，SiC，GaAs，CdZnTe，InGaAs等各种材料电学参数测试。
WT-1200A 单点式少子寿命测试系统 参考价：面议
WT-1200A 是单点式少子寿命测试系统，具备无接触等优点。
半导体参数分析仪 参考价：面议
半导体参数分析仪型号有Keysight B1500A系列、Keithley 4200系列
网络分析仪 参考价：面议
网络分析仪主要特性和功能：· 具有紧凑型频率扩展器的单次扫描解决方案· 可以作为单个产品解决方案一次性购买· 对器件施加精确的调平...
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