薄膜沉积CVD,薄膜制备-北京亚科晨旭科技有限公司

薄膜沉积CVD
SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备，利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下（ 100ºC）沉积高质量SiO2, S...

型号： ICP-500D 所在地：北京市参考价：面议更新时间：2024/10/12 15:04:52 对比

SENPECVD沉积系统SI 500 PPD化学气相沉积
原子层沉积系统
PICOSUN 原子层沉积系统ALD R-200 Pro；PICOSUN R-200 Advanced ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS...

型号： PICOSUN A... 所在地：北京市参考价：面议更新时间：2024/9/25 13:45:45 对比

PICOSUN原子层沉积ALDPICOSUN-ALD原子层
PICOSUN原子层沉积系统-高级版
PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200高级版；系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件...

型号： ALD R-200... 所在地：北京市参考价：面议更新时间：2024/9/25 13:43:50 对比

PICOSUN原子层沉积ALDPICOSUN-ALD原子层
PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版
PICOSUN®R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，...

型号： ALD R-200 所在地：北京市参考价：面议更新时间：2024/9/25 13:41:31 对比

PICOSUN原子层沉积ALDPICOSUN-ALD原子层
等离子中束流离子注入机
离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成，可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位，作用是把需要注入的元素气态粒子...

型号： IMC210 所在地：北京市参考价：面议更新时间：2024/9/25 12:51:44 对比

IBS中束流离子注入高温离子注入机中束离子
ICP等离子沉积系统-SI 500D
SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备，利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下（ 100ºC）沉积高质量SiO2, S...

型号： ICP-500D 所在地：北京市参考价：面议更新时间：2024/9/25 12:16:56 对比

SENPECVD沉积系统SI 500 PPD化学气相沉积

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