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北京瑞科中仪科技有限公司
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目录:北京瑞科中仪科技有限公司>>刻蚀机>> 反应离子蚀刻设备
应用领域:环保,化工,电子
更新时间:2024-01-18 11:08:50浏览次数:426评价
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原子层蚀刻设备
感应耦合电浆蚀刻
反应离子蚀刻设备
RIE等离子刻蚀机SI 591
产品分类品牌分类
日本倾斜角刻蚀
英国光栅刻蚀
进口深硅刻蚀
产品简介
详细介绍
反应离子蚀刻设备(RIE)中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性,並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。
因此,RIE製程是化學物理蝕刻製程,也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與電漿製程,並提供高品質的薄膜。
反应离子蚀刻设备参数
基礎電漿研究。
III-V族化合物半導體蝕刻(GaAsn,InP,GaN)。
Si,SiO2,SiNx 蝕刻。
微機電系統。
金屬與矽的蝕刻。
陽極電鍍處理鋁腔。
通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
客製化的基板尺寸,最大直徑可達12寸晶圓。
單載片或多載片。
優異的薄膜均勻度小於±5%。
精準流量控制器,氣體分佈高度均勻,最多可容納6條氣體管線。
穩定的溫度控制,將載盤加熱至400°C或冷卻至-20°C。
渦輪分子幫浦。
蝕刻終點偵測(OES,激光)相容性。
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