首页>>北京瑞科中仪科技有限公司>>产品展示>>其他品牌
便携式样品传送腔体 参考价：面议
便携式样品传送腔体是一种专门设计用于在超高真空环境中传送和处理样品的设备。这种设备通常包括一个或多个关键组成部分，如连接真空计的接口、反射式光电阴极入射光导入口...
全金属密封磁控溅射靶枪 参考价：面议
全金属密封磁控溅射靶枪是一种用于磁控溅射技术的设备，主要由金属制成的密封容器和靶材组成。这种设备广泛应用于各种薄膜制备工艺中，如光学薄膜、电子薄膜、磁性薄膜等。
定制样品传送腔体 参考价：面议
定制样品传送腔体，首先需要明确你的具体需求，例如腔体的尺寸、材质、功能等。然后，你可以联系专业的制造商或供应商，向他们提供你的需求，让他们为你设计和制造符合要求...
4/6英寸辐射式样品台系统 参考价：面议
4/6英寸辐射式样品台系统"可能指的是一种用于实验或研究的设备或组件，特别是在材料科学、物理学、工程学或其他需要精确控制和分析样品的环境中的设备。
超高真空磁控溅射外延系统 参考价：面议
超高真空磁控溅射外延系统是一种先进的薄膜制备设备，结合了超高真空技术和磁控溅射技术，用于在衬底上外延生长高质量的薄膜材料。
插拔式加热器沉积系统 参考价：面议
插拔式加热器沉积系统是一种方便、实用的加热设备，广泛应用于各种工业和商业领域。这种加热器通常具有紧凑的设计，可以方便地插入到电源插座中，提供快速、高效的加热功能...
脉冲激光沉积样品台 参考价：面议
脉冲激光沉积样品台是一种物理气相沉积技术，用于在衬底上生长高质量的薄膜。脉冲激光沉积系统中的样品台是一个关键组件，用于支撑和加热待沉积的样品。
脉冲激光沉积靶台 参考价：面议
脉冲激光沉积靶台的设计和应用对于脉冲激光沉积系统的性能和实验结果具有重要影响。通过综合考虑稳定性、热隔离、灵活性、靶材均匀性、冷却机制以及靶材旋转等因素，可以设...
脉冲激光沉积系统激光光路 参考价：面议
脉冲激光沉积系统激光光路是一个高度复杂和精密的系统，需要各个部分的紧密配合和精确控制，才能制备出高质量的薄膜。同时，随着科技的发展，脉冲激光沉积技术也在不断地进...
单腔体脉冲激光沉积系统 参考价：面议
单腔体脉冲激光沉积系统是一种先进的材料制备技术，它利用脉冲激光的高能量密度来蒸发和电离靶材上的物质，并在基底上沉积形成各种物质薄膜。这种系统通常包括一个沉积室，...
双腔体脉冲激光沉积系统 参考价：面议
双腔体脉冲激光沉积系统（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一种先进的薄膜制备技术，它结合了脉冲激光沉积（...
激光 分子束外延系统 参考价：面议
激光 分子束外延系统是一种用于物理学、材料科学领域的工艺试验仪器，综合了脉冲激光沉积和分子束外延的特点和优势。它能在高真空、真空条件下实现原位实时监控薄膜原子尺...
多功能原位高温热台 参考价：面议
多功能原位高温热台是一种实验设备，主要用于在高温环境下进行各种实验。这种热台能够提供精确的温度控制，并且具有多种功能，例如可以用来研究物质在高温下的反应、变化、...
原子层沉积系統 参考价：面议
原子层沉积系統是基于顺序使用气相化学过程的最重要技术之一；它可以被视为一种特殊类型的化学气相沉积（CVD）。多数ALD反应使用两种或更多种化学物质（称为前驱物，...
电子束蒸镀设备 参考价：面议
电子束蒸镀设备是一种实用且高度可靠的系统。我们的系统可针对量产使用单一坩埚也可以有多个坩埚來達到產品多層膜結構。在基板乘載上我們對應半導體研究和大型設備設計。單...
超高真空电子束蒸镀设备 参考价：面议
超高真空电子束蒸镀设备的特征为其真空压力低于10-8至10-12 Torr，在化学物理和工程领域十分常见。超高真空环境对于科学研究非常重要，因为实验通常要求，在...
剥离成形电子束设备 参考价：面议
剥离成形电子束设备：对于有些金属，我们很难使用蚀刻(Etching)方式来完成想要的电路图案(Circuit Pattern)时，就可以采用 Lift-Off制...
低真空化学气相沉积设备 参考价：面议
低真空化学气相沉积设备是一种化学气相沉积技术，利用热能在基板表面上引发前驱气体的反应。表面的反应是形成固化材料的原因。
感应耦合电浆化学气相沉积设备 参考价：面议
感应耦合电浆化学气相沉积设备是一种使用ICP的化学气相沉积技术，可为沉积反应提供一些能量。与PECVD方法相比，ICP-CVD可以在较低的温度下沉积各种薄膜而不...
批量式电浆辅助气相沉积设备 参考价：面议
批量式电浆辅助气相沉积设备为一种使用化学气相沉积技术，可为沉积反应提供能量。与传统的CVD方法相比，可在较低的温度下沉积各种薄膜且不会降低薄膜质量。
原子层沉积设备 参考价：面议
原子层沉积设备为一种气相化学沉积技术。大多数的ALD反应，将使用两种化学物质称为前驱物。这些前驱物以连续且自限的方式与材料表面进行反应。
电浆原子层沉积设备 参考价：面议
电浆原子层沉积设备是一种基于常规ALD的先进方法，其利用电浆作为裂化前驱物材料的条件，而不是仅依靠来自加熱基板的熱能。
等离子干蚀刻 参考价：面议
等离子干蚀刻是从另一种材料的表面去除材料的过程。该过程是由於于激发离子与材料的碰撞而发生的，无需使用任何液体化学药品或蚀刻剂即可将其除去。
反应离子蚀刻设备 参考价：面议
反应离子蚀刻设备中可以非常精确地控制其蚀刻轮廓、蚀刻速率和均勻性，并具有重复性。等向性蚀刻以及非等向性蚀刻都是可能的。
2