硅片、单晶硅，各个尺寸。用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体光刻。

硅片是现代电子工业的基础材料，作为半导体器件的载体，它支撑着从消费电子到超级计算、从通信技术到人工智能的整个数字化世界。这种由高纯度单晶硅制成的圆形薄片，看似简单，却是芯片制造的关键起点，决定着集成电路的性能与效率。

硅片的制造过程体现了现代工业的精度。首先，冶金级硅（纯度约98%）经过化学提纯，转化为三氯氢硅（SiHCl₃），再通过还原反应得到多晶硅，纯度可达99.9999999%（9N级）。随后，采用直拉法（Czochralski法）或区熔法（Float-Zone法）生长出晶格结构的单晶硅棒。硅棒经过精密切割、研磨、抛光后，形成厚度不足1毫米、表面粗糙度在纳米级别的硅片。

在芯片制造过程中，硅片作为基底材料，经过光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积等数百道复杂工序，最终形成包含数十亿晶体管的集成电路。硅片的纯度、晶格完整性及表面平整度直接影响芯片的良率和性能。目前，主流硅片尺寸为300mm（12英寸），可大幅提升生产效率，而450mm（18英寸）硅片的研发也在推进中，以适应未来半导体工业的需求。

随着摩尔定律的持续推进，硅片技术也在不断创新。除了传统体硅片外，SOI（绝缘体上硅）硅片、应变硅（Strained Silicon）等新型材料被广泛采用，以提高晶体管的开关速度和能效比。此外，第三代半导体材料（如碳化硅、氮化镓）虽在部分领域崭露头角，但硅片凭借成熟的产业链和成本优势，仍将在未来几十年内保持主导地位。

硅片虽小，却是信息时代的基石。从计算机到智能手机，从数据中心到自动驾驶，硅片技术的进步持续推动着人类文明的数字化进程。未来，随着半导体工艺的不断突破，硅片仍将是科技创新的核心驱动力