这款高压PVD系统配置适合在晶圆溅射金属膜,磁性材料,多组分氧化物,得益于它灵活的配置和特殊的晶圆加热器设计,PVD可以在温度最高900℃的衬底上溅射金属膜层和磁性材料,最大容纳晶圆直径为150mm,订制后最大可容纳200mm直径晶圆。
高压PVD系统特点
•最多3个磁控管源，靶材为∅76,2 mm
•过程气体：Ar、H2、O2、N2
•磁控管源位于柔性支架上，可聚焦到单点（共焦几何结构），以提供共沉积模式
•每个磁控管源的主快门或单独快门（可选）
•可能安装电子束源和/或热阻蒸发器以及用于基板清洁的离子源（可选）
•多功能真空沉积系统，可配备各种PVD源和高温晶圆加热
•用2-3个磁控管沉积多组分薄膜
•从2-3个磁控管源同时溅射相同的目标材料，以在∅100-150 mm基板上提供最大的均匀性
•可能升级多达7个磁控管源，以便使用旋转式晶圆安装逐个沉积材料

高压PVD系统规格参数
工艺过程反应器中的极限压力:   不小于<1×10-7(<1×10-8 in UHV version)
达到预处理真空的时间（<5×10^-6Torr）在TMP 550 l/sand,干涡旋泵35m3/h时:   不超过2min
沉积过程中晶圆旋转的速度范围:    0~20rpm
晶圆加热温度： 最高900°С
泵送系统性能：–涡轮分子泵，不小于500l/s
                       –干式涡旋泵，不小于35m3/h