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LPCVD-2 低压化学气相沉积系统LPCVD

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AngstromLPCVD

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上海麦科威半导体技术有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家专业的微纳材料、半导体和微电子材料及器件研发仪器及设备的供应商,所销售的仪器设备广泛用于高校、研究所、以及半导体和微电子领域的高科技企业。目前总部在上海,香港、南通、深圳、北京分别设立分公司和办事处,快速响应客户需求。同时上海麦科威在快速扩展海外市场,并设立新加坡分公司,辐射东南亚市场。

      上海麦科威半导体技术有限公司主要销售产品包括:  - 霍尔效应测试仪;  - 快速退火炉;  - 回流焊炉,共晶炉,钎焊炉,真空烧结炉;  - 电子束蒸发镀膜机,热蒸发镀膜机;  - 探针台,低温探针台,微探针台;  - 金刚石划片机; - 球焊机,锲焊机;  - 磁控溅射镀膜机;  - 原子层沉积系统,等离子增强原子层沉积设备;  - 电化学C-V剖面浓度分析仪(ECV Profiler); - 扫描开尔文探针系统; - 光学膜厚仪; -贴片机-PECVD\CVD;-脉冲激光沉积系统-PLD-纳米压印;-等离子清洗机、去胶机;-反应离子刻蚀RIE; - 光刻机、无掩膜光刻机; - 匀胶机; - 热板,烤胶板; -少子寿命、太阳能模拟器;-NMR-瞬态能谱仪-外延沉积-等离子清洗机-离子注入-划片机、裂片机光刻机(针尖/电子束光刻机EBL,紫外光刻机,激光直写光刻机),镀膜机(磁控溅射机,电子束蒸发机,化学沉积机,微波等离子沉积机,原子层沉积机  等等…

企业客户:华为技术有限公司, 深圳市鹏芯微集成电路制造, 深圳清力技术, 安徽格恩半导体, 苏州稀晶半导体科技, 矽品半导体, 厦门海辰新能源科科, 中核同创(成都)科技, 洛玛瑞芯片技术(常州),伟创力科技, 奥普科星河北科技,广东五星太阳能,广东万和集团,西安西测股份, 普源精电科技, 普源精电科技股份, 上海蔚来汽车, 北京华脉泰科, 广医东金湾高景太阳能科技, 深圳汇佳成电子, 深圳市化讯半导体材料, 珠海珍迎机电, 合肥鼎材科技, 山东金晶节能玻璃, 江苏云意电气股份, 广东风华技股份, 浙江中能合控股集团,固安维信诺,淮安天合光能,浙江老鹰半导体, 四川信通电子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大学, 汕头大学, 南方医科大学, 清华大学, 北京大学, 复旦大学, 西北工业大学, 南京医科大学, 香港中文大学, 香港城市大学, 苏州大学, 深圳职业技术学院, 南京大学合肥国家试验室, 上海交通大学医学院, 华南理工大学,华东师范大学,江南大学,重庆26所, 深圳大学, 南方科技大学, 深圳技术大学, 理化技术研究所, 中国工程物理研究院激光聚变研究中心, 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院, 桂林电子科技大学, 上海硅酸盐研究所, 中国航天五院,中科合肥智慧农业协同创新研究院等。

 

 

 

 

 

 

 

 

半导体设备,快速退火炉,原子层沉积,键合机,光刻机

1 产品概述:

     低压化学气相沉积系统(LPCVD)是一种在低压条件下,通过加热使气态化合物在基片表面反应并沉积形成稳定固体薄膜的技术。该系统在半导体制造、电力电子、光电子及MEMS等领域具有广泛应用。LPCVD系统通过精确控制温度、压力及气体流量等参数,能够在基片表面形成均匀性良好的薄膜,满足各种工艺需求。

2 设备用途:

LPCVD系统的主要用途包括:

  1. 薄膜沉积:用于淀积多种薄膜材料,如Poly-Si(多晶硅)、Si3N4(氮化硅)、SiO2(二氧化硅)、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等。这些薄膜在半导体器件、电力电子器件、光电子器件及MEMS结构中起着关键作用。

  2. 半导体制造:在半导体集成电路制造过程中,LPCVD系统用于形成栅极氧化物、表面钝化层、氮化物应力缓冲层、牺牲氧化物层及阻挡氧化物层等关键结构。

  3. 光电子应用:在光电子领域,LPCVD系统用于制备光波导、可变折射率层、抗反射层等光学薄膜,提升器件性能。

3 设备特点

LPCVD系统具有以下特点:

  1. 低压环境:在低压条件下进行沉积,有助于减少气体分子的碰撞和散射,提高薄膜的均匀性和质量。

  2. 高精度控制:系统采用先进的温度、压力及气体流量控制技术,能够精确控制沉积过程中的各项参数,确保薄膜的精确性和一致性。

  3. 多用途性:能够沉积多种薄膜材料,满足不同工艺需求,具有广泛的适用性。

  4. 高效性:由于工作压力低,气体分子的平均自由程和扩散系数大,可采用密集装片方式提高生产率。


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技术参数和特点:

1. 满足石墨烯和碳纳米管研究的高温和快速冷却要求

2. 直径200毫米的石英室

3. 内部石英管的设计便于拆卸和清洗

4. 基片尺寸可达直径150毫米

5. 三区电阻炉,150毫米的均匀温度区

6. 温度高可达1000°C

7. 使用节流型VAT蝶形阀下游压力控制在50 mTorr500 mTorr之间

8. 8立方英尺/分的Ebara ESA25-D干式真空泵 - 两干式真空






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