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全自动去胶清洗机是用于去除半导体晶圆、光学玻璃、锂电池极片等材料表面光刻胶、残留化学品或污染物的自动化设备。其核心功能包括:
高效去胶:通过化学腐蚀、超声波振动、等离子体处理或高温分解等方式,快速剥离光刻胶(如正胶、负胶)及固化污染物。
精密清洗:配合溶剂(如NMP、DMF)、酸性/碱性溶液或纯水,清除微小颗粒、金属离子残留,确保表面洁净度达到纳米级。
全流程自动化:实现上料、清洗、干燥、下料等环节无人化操作,兼容MES系统对接,支持工艺参数追溯。
技术原理与分类
去胶技术类型
化学法:利用强氧化剂(如硫酸、过氧化氢)或有机溶剂溶解胶层,适用于正性光刻胶。
超声波法:通过高频振动空化效应剥离胶体,适合复杂图案或高黏附力残留。
等离子体法:氧离子轰击表面,分解有机物,用于去除顽固残胶或干膜。
热分解法:高温(300-500℃)裂解胶体分子,常用于硬质材料(如石英、陶瓷)。
清洗模式
喷淋式:喷头均匀喷洒药液,适用于大面积平面清洗。
浸泡式:槽式循环浸没清洗,适合高深宽比结构(如TSV孔隙)。
刷擦式:旋转刷头配合化学液,清除边缘或缝隙残留。
干燥技术
离心干燥、热风干燥、真空烘干或IPA(异丙醇)置换干燥,防止水痕或二次污染。
设备架构与关键模块
进料系统:
自动加载晶圆盒(Cassette)或单片输送,支持12英寸/8英寸晶圆或定制尺寸。
视定位系统(CCD/AI视觉)校准晶圆位置,避免偏移损伤。
清洗腔体:
多槽分区设计(预洗→主洗→漂洗→干燥),独立温控(±1℃)与液体循环过滤(0.1μm级颗粒过滤)。
耐腐蚀材料(PFA、PTFE、石英)腔体,适应强酸/碱环境。
药液管理:
自动配比系统:精确调配化学浓度(如SC1液、DHF液),实时监测pH/ORP值。
废液处理:中和反应+蒸馏回收,降低环保成本。
控制系统:
人机界面(HMI)设定参数(时间、温度、流速),支持Recipe配方存储与调用。
物联网(IoT)远程监控,故障报警与维护提示。
应用场景与行业价值
半导体制造:
光刻后坚膜去除(正胶剥离)、蚀刻后残留物清洗、封装前界面预处理。
提升芯片良率,避免因胶残留导致电性能失效或分层缺陷。
光学玻璃加工:
去除AR/ASML镀膜前的光刻胶,确保光学级表面平整度(Ra<0.5nm)。
新能源领域:
锂电池极片涂布后残胶清洗,提升电池能量密度与安全性。
光伏硅片切割后浆料去除,减少EL测试中的隐裂风险。