mr-NIL212FC 德国纳米压印光刻胶
纳米压印光刻 (NIL) 解决方案——高性能光刻胶,助力纳米制造革命
——来自德国 micro resist technology,纳米压印光刻材料的行业先驱
核心优势
✅ Excellence的薄膜质量 | ✅ 高保真图案复制 | ✅ 优异的干法刻蚀性能
✅ 广泛的印章兼容性 | ✅ 定制化解决方案 | ✅ 符合工业级安全标准(ISO 9001 & 14001)
应用领域:
l光子学(超表面、光栅、AR/VR)
l下一代电子器件(纳米线、MEMS)
l生命科学与传感器(微流控芯片、生物传感器)
明星产品系列
1. UV-NIL 光刻胶
产品型号 | 核心特性 | 适用场景 |
mr-NIL210 | 专为 PDMS 类柔性印章优化,极薄残胶控制(<10nm),高均匀性 | 柔性基底、曲面压印、快速量产 |
mr-NIL212FC | 兼容低强度光源(<40>2(SiO₂),适合精密金属蚀刻 | 纳米电子、金属纳米结构制造 |
mr-NIL200 | 自粘附配方,无需底涂,专为硬质印章(石英/OrmoStamp®)设计 | 高精度光学元件、硬质基底压印 |
mr-UVCuF26SF | 溶剂型喷墨专用,低自发荧光,生物相容性佳 | 生物芯片、医疗器件 |
2.
2.
热压印(T-NIL)光刻胶
| mr-I 9000M | 热固性树脂,无玻璃化转变温度(Tg),耐高温 260°C,yongjiu光学透明 | 高温环境应用(如封装、光学透镜) |
| mr-I T85 | 基于 COC 材料,耐酸碱/有机溶剂,超高紫外透过率 | 微流控芯片、透明器件 |
3. 创新工艺方案
NIL + 剥离工艺:结合 mr-NIL212FC/LOR 实现复杂金属纳米结构(如 200nm 金属网格)。
NIL + 深度刻蚀:通过含硅光刻胶 SiPOL 或硬掩模(SiO₂)实现高深宽比结构放大。