GR-511F 晶圆背面冷却系统 压力控制器

HORIBA GR-511F 晶圆背面冷却系统 压力控制器

产品简介

HORIBA GR-511F 是一款专为半导体制造工艺设计的晶圆背面冷却系统 压力控制器，主要用于在静电吸盘（ESC）环境中控制氦气或氩气的背面压力与流量，以保持晶圆背面的温度均匀性与热交换效率。这款产品融合了高精度压力控制与可选质量流量计功能，广泛应用于等离子体蚀刻、CVD、ALD 等工艺过程中，是提升工艺稳定性和良率的关键设备。

核心优势

• 高精度压力控制：支持 1% 至 100% 满量程设定，控制精度高达 ±0.5% 读数，零点温漂低。

• 可选质量流量控制：流量输出精准，适用于高精度冷却气体需求。

• 快速响应：响应时间小于 1 秒，满足半导体工艺快速切换的需求。

• 全面兼容：支持氦气、氩气、氮气，接液材质为 SUS316L，不锈钢密封，适用于腐蚀性工艺环境。

• 灵活接口与安装：模拟信号输入输出，支持任意方向安装，方便集成至现有系统。

技术参数

• 控制介质：氦气（He）、氩气（Ar）、氮气（N₂）

• 测量与控制功能：

• 压力控制（标准配置）

• 质量流量控制（选配）

• 压力满量程范围：

• 1.333 kPa（10 Torr）

• 2.666 kPa（20 Torr）

• 6.666 kPa（50 Torr）

• 压力控制范围：1% ～ 100% F.S.

• 压力精度：±0.5% 读数

• 零点温度系数：±0.04% F.S./℃，跨度温度系数 ±0.04% 读数/℃

• 流量范围（可选）：20 / 50 / 100 SCCM

• 流量精度：

• 25% F.S.：±1% 读数

• ≤25% F.S.：±0.25% F.S.

• 接口信号：

• 输入信号：0.1～10 VDC（压力设定），可选 0.05～5 VDC

• 输出信号：0～10 VDC 或 0～5 VDC（压力 / 流量反馈）

• 供电电源：±15 VDC ±5%，电流各 250 mA，最大功耗 7.5 VA

• 响应时间：≤ 1 秒

• 最高使用压力：300 kPa（绝压）

• 耐压等级：350 kPa（绝压）

• 气密性：≤ 7 × 10⁻¹¹ Pa·m³/s（氦检漏）

• 工作环境温度：5°C ～ 50°C（精度保证范围为 15°C ～ 40°C）

• 安装方式：任意方向，标准 1/4 英寸 VCR 或等效接口

• 接液材质：SUS316L 不锈钢

• 设备重量：约 1.5 kg

• 信号类型：模拟（Analog）

• RoHS 认证：符合环保要求

应用场景

• 半导体蚀刻机中的 ESC 背面冷却

• CVD、ALD 等薄膜沉积设备温控系统

• 静电吸盘冷却压力闭环控制系统

• 需要高响应、高精度气体压力控制的工艺