高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统--PLD450

高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统--PLD450

真空室结构:球形前开门

真空室尺寸:450mm

极限真空度:≤6.67E-6Pa

沉积源:2英寸靶材，4个

样品尺寸，温度:2英寸，1片，最高800℃C

占地面积(长x宽x高):约1.8米x0.97米x1.9米

电控描述:全自动

工艺:

特色参数:

产品概述：
系统主要由真空室、旋转靶台、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。
设备用途：
脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION，简称PLD)是新近发展起来的一项技术，继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后，它的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比，脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量”的过程，因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜，非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当前脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜，显示出了诱人的应用前景。