半导体预清洗机 湿法清洗

半导体预清洗机是晶圆制造前道工艺中的关键设备，专为去除硅片表面微粒污染、有机物残留、氧化层及金属杂质而设计。本设备通过集成湿法化学清洗、兆声波空化、等离子体活化等多模块技术，实现纳米级洁净度控制，为光刻、蚀刻、沉积等后续制程提供超净表面基础，显著提升芯片良品率与性能稳定性。

核心技术优势

复合式清洗模式

兆声波空化技术（SAP）：采用高频（>1MHz）声波场，精准剥离<10nm颗粒，避免机械损伤，适用于敏感结构（如FinFET器件）。

等离子体预处理：通过O₂/Ar等离子体轰击，高效分解光刻胶残留及有机污染物，表面活化能提升后续清洗液浸润效果。

化学湿法定制：支持SC-1（H₂SO₄/H₂O₂）、SC-2（NH₄OH/H₂O₂）、DHF（稀释氢氟酸）等配方切换，兼容不同材质（Si、SiC、GaAs）的腐蚀与去氧化需求。

精密流体控制系统

动态液膜分布技术：喷淋臂三维运动轨迹结合涡旋流控算法，实现清洗液均匀覆盖，消除晶圆边缘效应。

在线监测与闭环调节：实时监测电导率、pH值及颗粒浓度，AI算法自动调整化学液配比与冲洗时间，降低耗材浪费。

超洁净干燥工艺

低温旋干技术：利用Marangoni效应快速挥发水分，结合N₂/IPA（异丙醇）双介质置换，避免水痕与氧化物残留。

洁净室级密封设计：腔体采用电解抛光316L不锈钢，配备HEPA过滤单元（0.1μm截留率），防止二次污染。

智能化与自动化特性

无人值守操作：全自动机械臂完成上料、清洗、干燥及下料，支持24小时连续运行。

数据追溯系统：每片晶圆的清洗参数（温度、流速、时间）及洁净度检测数据自动存档，符合ISO/SEMI标准。

远程运维支持：设备状态实时上传至云端平台，支持故障预警与工艺参数远程优化。

环保与经济性设计

废液循环处理：内置三级过滤系统（UF+RO+离子交换），回收率达90%，降低危废处理成本。

节能模式：待机时自动进入低功耗状态，化学液加热采用PID恒温控制，减少能源消耗。

模块化适配：可根据产线需求灵活配置单片/批式清洗模块，兼容2-12英寸晶圆，降低企业设备迭代成本。

应用场景与行业价值

本设备广泛应用于逻辑芯片、3D NAND闪存、功率半导体及第三代半导体（如GaN、SiC）制造环节，尤其适用于：

光刻前硅片表面有机物去除

蚀刻后聚合物残留清洗

TSV（硅通孔）工艺中的深槽清洁

封装中的临时键合剂剥离

通过提升晶圆表面洁净度至<0.1nm粗糙度与<0.01μm²颗粒密度，可减少50%以上的电参数漂移问题，助力客户突破5nm以下制程良率瓶颈。