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化工仪器网>产品展厅>半导体行业专用仪器>工艺测量和检测设备>晶圆缺陷光学检测设备> 半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

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半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

参考价300000-2000000/件
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北京卓立汉光仪器有限公司是一家集光学、精密机械、电子、计算机技术于一体的高*技术企业。卓立汉光自1999年起,通过数年的不断努力,成长为光电仪器厂商之一。目前公司的电控位移台、手动位移台、光学调整架等产品已经形成产品系列化,规格多元化,国内多家科研单位、激光加工设备厂商、光纤设备厂商在使用我们的产品。2000年推出我司套量产型三光栅光谱仪后,不断推出了多套荧光、拉曼、光电探测器光谱响应、太阳能电池检测等光谱测量系统,广泛应用在众多高校和科研院所的研究与试验,为国家科技创新贡献了一份力量,产品凭借优良的品质远销欧美、东南亚等海外市场。 2005年10月在同行业中通过ISO9001质量管理体系SGS认证。2010年取得国家高*技术企业认定,2016年卓立汉光技术中心顺利通过市级技术中心评审。

 

卓立汉光主要生产经营:荧光/拉曼光谱系统、各类光谱测量系统、太阳能电池检测仪器、光栅光谱仪、各类型光源及探测器、电控精密位移台、手动精密位移台、光学调整架、光学平台、光学元件等系列产品。


我们诚心聆听用户的需要与批评,作为不断改进的动力,能让您满意卓立汉光的产品及服务,就是我们的成就。因此我们以卓立汉光的光机产品提供 “终身保固”的承诺,来表达我们对产品的信心。


我们坚持从设计、零件选型、制造、装配、检验、包装、运输、直到售后服务做好*质量保证,就是要让您 “付有所值”,以合理的价位得到优质的产品,这是我们对您选择卓立汉光真诚的回报。

卓立汉光始终以满足用户需求为宗旨,分别于上海、深圳、成都、西安设立分公司,为用户提供及时周到的销售与技术服务。“研发创新、快速反应、优质服务” 是我们的经营理念, 公司长期重视优质高效、短时间为客户开发产品及提供技术支持。卓立汉光真诚地希望与国内外同仁携手合作,为推动我国光电产业迅猛发展做出贡献。

 

 

 

光谱仪,拉曼光谱,荧光光谱,太阳能电池检测,位移台,滑台,光学调整架,电动滑台,光学平台,光学元件

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

产品概述

PL测试是一种无损的测试方法,可以快速、便捷地表征半导体材料的缺陷、杂质以及材料的发光性能。其主要功能包括:1)组分测定;对三元或四元系合金,如InGaN等,通过PL 峰位确定半导体材料的禁带宽度,进而确定材料组分X;2)杂质识别;通过光谱中的特征谱线位置,可以识别材料中的杂质元素;3)杂质浓度测定;4)半导体材料的少数载流子寿命测量;5)位错等缺陷的相关作用研究。

基本原理:

光致发光大致经过光吸收、能量传递及光发射三个主要阶段,光的吸收及发射都发生于能级之间的跃迁,都经过激发态。而能量传递则是由于激发态的运动。光吸收:样品受到紫外或可见光的照射,导致材料中的电子跃迁到高能态,在价带留下空穴,电子和空穴各自在导带和价带中占据*低激发态,即导带底和价带顶,成为准平衡态,也是一种暂态,不稳定状态,能量传递:准平衡态下的电子和空穴复合发光,产生特定波长的光子,激发的电子在一段时间后返回到低能态。光发射:在电子返回低能态的过程中,释放出能量,以光子的形式发射出来。电子跃迁到不同的低能级,就会发出不同的光子,但是发出的光子能量肯定不会比吸收的能量大。这发射的光子具有不同的波长,可用于研究材料的性质。通过探测光的强度或能量分布得到曲线,形成光致发光谱(PHOTOLU-MINESCENCE SPECTROSCOPY,简称PL谱)。

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900


半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900主要应用与功能
组分测定

通过测量光致发光峰位来确定半导体材料的禁带宽度,从而推断材料的组成。例如,MAPBIBR:-X 的带隙随X值而变化,因为发光的峰值波长取决于禁带宽度且禁带宽度和X值有关,因此通过发光峰峰值波长可以测定组分百分比X值。

杂质识别

通过测量材料的光致发光光谱,标定特征谱线的位置,可以识别材料中的杂质元素,以及对杂质浓度进行测定。

位错缺陷研究

光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、灵敏度高的分析方法。光致发光光谱可以用来研究晶体缺陷,例如离子空位和取代,这对于钙钛矿这样的材料尤其重要。过多的缺陷会导致电子与空穴进行非辐射复合并以热能的形式耗散,降低材料的光致发光性能以及光伏性能。

载流子寿命研究

可以通过强度相关的光致发光寿命测量,确定载流子扩散的影响以及其对总体寿命的影响。

实测数据
晶圆级半导体光致发光谱测试系统(稳态 / 时间分辨)

Wafer-scale Semiconductor Photoluminescence (PL)

Mapping System (Steady-state / Time-resolved)

针对光电半导体晶圆的发光特性检测需求,以共聚焦方式在晶圆表面逐点采集光致发光光谱并成像。

· 整晶圆上的荧光强度、波长、寿命等发光参数的一致性评估

· 杂质、缺陷、组分等对复合机制的影响

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

产品特性和核心技术:

· 激光自动聚焦

· 自主研制的激光辅助离焦量传感器:

可在光致发光谱测量的同时工作,能够在全晶圆的范围内扫描时实现实时地自动聚焦和表面跟踪。

· 提供紫外到可见多个不同波长的激光激发,可按用户需求选配。

· 可选配正方向和侧方向双路荧光接收光路。

· 应对AlGaN等深紫外半导体选择定则造成的侧面出光情形。

· 全自动操作。

· 提自动化的控制软件和数据处理软件,全软件操作。

性能参数:

荧光激发和收集模块

激发波长

213/266/375/405 nm

自动对焦

在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪。

对焦精度<0.2 um。

显微镜

可见光物镜,100 × / 50 × / 20 ×, 用于405 nm激发光。

近紫外物镜,100 × / 20 ×,用于375 nm激发光。

紫外物镜,5 ×,用于213 nm / 266 nm的紫外激发光。

样品移动和扫描平台

平移台

扫描范围大于300 × 300 mm²。

*小分辨率1 m。

样品台

8吋吸气台(12吋可定制)

可兼容2、4、6、8吋晶圆片

光谱仪和探测器

光谱仪

焦长320 mm单色仪,可接面阵探测器。

光谱分辨率:优于0.2 nm @ 1200 g/mm


荧光寿命测试模块

荧光寿命测试精度 8 ps,测试范围50 ps ~ 1 ms

软件

控制软件

可选择区域或指*点位自动进行逐点光谱采集

Mapping数据分析软件

可对光谱峰位、峰高、半高宽等进行拟合。

可计算荧光寿命、薄膜厚度、翘曲度等。

将拟合结果以二维图像方式显示。

· 上述表格中的激光波长、物镜和单色仪等部件可以根据客户需求调整。

应用案例:

2英寸绿光InGaN晶圆扫描

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

智能化软件平台和模块化设计
· 统一的软件平台和模块化设计

· 良好的适配不同的硬件设备:平移台、显微成像装置、光谱采集设备、自动聚焦装置等

· 成熟的功能化模块:晶圆定位、光谱采集、扫描成像Mapping、3D层析,Raman Mapping,FLIM,PL Mapping,光电流Mapping等。

· 智能化的数据处理模组:与数据拟合、机器学习、人工智能等结合的在线或离线数据处理模组,将光谱解析为成分、元素的分布等,为客户提供直观的结果。可根据客户需求定制光谱数据解析的流程和模组

· 可根据客户需求进行定制化的界面设计和定制化的RECIPE流程设计,实现复杂的采集和数据处理功能。

显微光谱成像控制软件界面

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

强大的光谱图像数据处理软件VISUALSPECTRA

显示:针对光谱Mapping数据的处理,一次性操作,可对整个图像数据中的每一条光谱按照设定进行批处理,获得对应的谱峰、寿命、成分等信息,并以伪彩色或3D图进行显示。

显微光谱成像控制软件界面

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

3D显示

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

基础处理功能:去本底、曲线平滑、去杂线、去除接谱台阶、光谱单位转化

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

进阶功能:光谱归一化、选区获取积分、*大、*小、*大/*小值位置等

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

谱峰拟合:采用多种峰形(高斯、洛伦兹、高斯洛伦兹等)对光谱进行多峰拟合,获取峰强、峰宽、峰位、背景等信息。

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

**功能:应力拟合:针对Si、GaN、SiC等多种材料,从拉曼光谱中解析材料的应力变化,直接获得应力定量数值,并可根据校正数据进行校正。

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

**功能:应力拟合:针对S1、GAN、SIC等多种材料,从拉曼光谱中解析材料的应力变化,直接获得应力定量数值,并可根据校正数据进行校正。

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

载流子浓度拟合

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

晶化率拟合

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

荧光寿命拟合

自主开发的一套时间相关单光子计数(TCSPC)荧光寿命的拟合算法,主要特色

1.从上升沿拟合光谱响应函数(IRF),无需实验获取。

2.区别于简单的指数拟合,通过光谱响应函数卷积算法获得每个组分的荧光寿命,光子数比例,计算评价函数和残差,可扣除积分和响应系统时间不确定度的影响,获得更加稳定可靠的寿命数值。

3.*多包含4个时间组分进行拟合。

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

主成分分析和聚类分析

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

每个主成分的谱显示

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900

主成分的分布图

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900


主成分聚类处理和分析

半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统-SPM900




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