代换AOT410半导体-苏州华镁

代换AOT410应用吸尘器mos管引脚封装
AOT410采用的深沟道硅(trench silicon)MOSFET工艺，还能显著降低传导、开关和栅极电荷损耗；并能兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持主动相变换模式APS（Auto Phase Switching）。
AOT410除了QFN封装外，双边扁平无引脚封装（DFN）也是一种新的电子封装工艺，在安森美的各种元器件中得到了广泛采用，与QFN相比，DFN少了两边的引出电极。
AOT410除了外部封装，基于电子制造对MOS管的需求的变化，内部封装技术也在不断得到改进，这主要从三个方面进行：改进封装内部的互连技术、增加漏极散热板、改变散热的热传导方向。

代换AOT410常见问题
AOT410MOS管失效的6大原因：1）雪崩失效（电压失效）：也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOS管的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOS管失效。2）栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。3）静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。4）谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。
体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。5）SOA失效（电流失效）：既超出MOS管安全工作区引起失效，分为ld超出器件规格失效以及ld过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。
雪崩失效（电压失效）：底什么是雪崩失效呢？简单来说MOS管在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOS管漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是MOS管漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。
雪崩破坏的预防措施：理降额使用。目前，行业内降额一般选择80%-95%的降额。具体情况根据公司保修条款和电路重点来选择。理的变压器反射电压。理的RCD和TVS吸收电路设计。大电流接线尽量采用大、小布置，以减小接线寄生电感。
选择一个合理的门电阻Rg.在大功率电源中，可以根据需要增加RC阻尼或齐纳二极管吸收。
册极电压失效：造成栅极电压异常高的主要原因有三：产、运输、装配过程中的静电；电力系统运行中设备和电路寄生参数引起的高压谐振；通过Gad传检到网

需要了解更多关于代换AOT410半导体-苏州华镁信息，请联系我们的客户经理！
华镁用“芯”为您服务-代换AOT410半导体-苏州华镁