代换AON7534半导体-苏州华镁

代换AON7534应用3串n型mos管封装
AON7534插针网格阵列封装（PGA）
AON7534PGA（Pin Grid Array Package）芯片内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列，根据管脚数目的多少，可以围成2～5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座即可，具有插拔方便且可靠性高的优势，能适应更高的频率。

代换AON7534常见问题
1、代换AON7534mos管小电流发热的原因：

1）电路设计的问题：就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态，这也是导致MOS管发热的一个原因。

如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能*导通，P-MOS则相反。没有*打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。

2）频率太高：主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。

3）没有做好足够的散热设计：电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。

4）AOT266MOS管的选型有误：对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

2、AOT266mos管小电流发热严重怎么解决：

做好MOS管的散热设计，添加足够多的辅助散热片。

贴散热胶。

3、代换AON7534MOS管为什么可以防止电源反接？

电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我们就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。

一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于二极管有压降，会给电路造成不必要的损耗，尤其是电池供电场合，本来电池电压就3.7V，你就用二极管降了0.6V，使得电池使用时间大减。

MOS管防反接，好处就是压降小，小到几乎可以忽略不计。现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A（这个电流已经很大了），在他上面的压降只有6.5毫伏。

由于MOS管越来越便宜，所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。

4、电池保护板MOS管放电过程中烧坏的原因

代换AON7534MOS管烧坏的情况在焊接过程中有短路现象，放电过程中MOS管没有*打开，处于关闭或半打开状态，PCBA内阻变大，长时间大电流放电，发热烧坏、烧糊。

生产组装过程有静电残留，或在充放电过程中有外部异常电流／大电压充放电过程导致MOS管被损坏、烧糊。

保护板MOS管烧坏处理方法：建议在焊接串线过程时先焊B4-线（因为靠近B2串的R19短路的风险大）然后在焊接B2串，这样可以规避B2和B4短路引起的不良。

代换AON7534MOS管烧坏防护措施：生产过程各环节做好ESD防护工作，焊接过程中特别是带电岗位防止触碰元器件或线路，建议在焊接串线过程中先焊B4再焊B2线。

5、超过GS或DS耐压造成MOS击穿

设计时要对GS和DS的耐压有足够的余量。不要太靠近临界值，否则在实际应用中，电压的波动或者温度的变化可能会使电压超过耐压值而损坏MOS。

6、持续大电流造成热击穿

长时间的大电流，例如D8540NX一直以33A持续过电流，芯片的内核会逐渐升温到170度以上，芯片的内核即可能会被击穿。

7、瞬间高压

尤其是配合电机使用时，当电机突然停止时，会产生瞬时的反向电压，如果续流二极管不够大，则可能会损伤MOS。

8、代换AON7534瞬间短路电流

当短路瞬间电流超过了MOS的IDM，如果持续时间超过前述表9的边界范围，则有可能导致MOS瞬间击穿。

9、代换AON7534ESD影响

冬天尤其要注意，ESD高发时，Ciss电容越小，越容易受到ESD的影响。

10、高频开关损耗过大

高频开关，尤其是调速或无刷应用时，MOS处于高频开关状态，如果驱动和MOS的开关速度没有配合好，导致开关损耗过大，也同样容易使MOS升温导致损坏。

11、代换AON7534GS驱动电压不匹配

对于高开启的MOS，却使用5V，甚至3.3V的电源来驱动，或者驱动电阻分压不当，例如满电时GS分压为10V，但接近空电时只有5V左右的电压，导致MOS开启不*，内阻成倍增加，通过电流时会快速产生热量导致MOS烧坏。

12、代换AON7534MOS 损坏主要原因：

过流 ---------- 持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；

过压 ---------- 源漏过压击穿、源栅极过压击穿；

静电 ---------- 静电击穿，CMOS 电路都怕静电；

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