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代换AON7406半导体-苏州华镁

具体成交价以合同协议为准

联系我们时请说明是化工仪器网上看到的信息,谢谢!


华镁公司为一家专业功率半导体组件(MOSFET)和集成电路芯片的设计公司。凭借着坚实的产品开发、营销业务及营运团队。提供性能优异、高信赖性、高性价比的产品及满足客户需求的服务,已获得众多客户于其节能电子产品中的广泛使用。目前华镁可提供的功率半导体元器件产品(12V~1200V)和集成电路芯片(锂电保护和控制驱动芯片),产品应用范围含盖计算机(个人计算机与服务器)、电源供应器、通讯电子产品、手持式电子装置、消费性产品及工业应用产品等。

华镁整个团队秉持着成就客户、努力奋斗、持续学习、进取创新、诚信正直、团队合作理念,并已累积15年以上的产品开发经验及50余个,期许华镁产品能满足客户多方面的要求,让华镁能为电子产品的开发尽一份努力

华镁研发总部设在中国台湾新竹科学工业园区(302 新竹县竹北市),国内研发和应用总部位于张家港市和芜湖市,国内市场主要以成品及Wafer销售和配套服务为主。


MOS管,中低压MOS管,MOSFET,场效应管

价格区间 面议 应用领域 电子,交通,汽车,电气
通道类型 N VX 15-35-70-46-070

代换AON7406应用代步车mos管的参数封装
AON7406采用的深沟道硅(trench silicon)MOSFET工艺,还能显著降低传导、开关和栅极电荷损耗;并能兼容多种控制器,可实现不同的工作模式,支持主动相变换模式APS(Auto Phase Switching)。
AON7406除了QFN封装外,双边扁平无引脚封装(DFN)也是一种新的电子封装工艺,在安森美的各种元器件中得到了广泛采用,与QFN相比,DFN少了两边的引出电极。
AON7406除了外部封装,基于电子制造对MOS管的需求的变化,内部封装技术也在不断得到改进,这主要从三个方面进行:改进封装内部的互连技术、增加漏极散热板、改变散热的热传导方向。

代换AON7406常见问题
1、AON7406mos管小电流发热的原因:
  1)电路设计的问题:就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态,这也是导致MOS管发热的一个原因。
如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能*导通,P-MOS则相反。没有*打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。
  2)频率太高:主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。
  3)没有做好足够的散热设计:电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。
  4)AON7406MOS管的选型有误:对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。

2、AON7406mos管小电流发热严重怎么解决:
做好MOS管的散热设计,添加足够多的辅助散热片。
贴散热胶。

3、AON7406MOS管为什么可以防止电源反接?
电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的。所以,我们就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的。
一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减。
MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计。现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻,假设是6.5毫欧,通过的电流为1A(这个电流已经很大了),在他上面的压降只有6.5毫伏。
由于MOS管越来越便宜,所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。

4、电池保护板MOS管放电过程中烧坏的原因
AON7406MOS管烧坏的情况在焊接过程中有短路现象,放电过程中MOS管没有*打开,处于关闭或半打开状态,PCBA内阻变大,长时间大电流放电,发热烧坏、烧糊。
生产组装过程有静电残留,或在充放电过程中有外部异常电流/大电压充放电过程导致MOS管被损坏、烧糊。
保护板MOS管烧坏处理方法:建议在焊接串线过程时先焊B4-线(因为靠近B2串的R19短路的风险大)然后在焊接B2串,这样可以规避B2和B4短路引起的不良。
AON7406MOS管烧坏防护措施:生产过程各环节做好ESD防护工作,焊接过程中特别是带电岗位防止触碰元器件或线路,建议在焊接串线过程中先焊B4再焊B2线。

5、超过GS或DS耐压造成MOS击穿
设计时要对GS和DS的耐压有足够的余量。不要太靠近临界值,否则在实际应用中,电压的波动或者温度的变化可能会使电压超过耐压值而损坏MOS。

6、持续大电流造成热击穿
长时间的大电流,例如D8540NX一直以33A持续过电流,芯片的内核会逐渐升温到170度以上,芯片的内核即可能会被击穿。

7、瞬间高压
尤其是配合电机使用时,当电机突然停止时,会产生瞬时的反向电压,如果续流二极管不够大,则可能会损伤MOS。

8、AON7406瞬间短路电流
当短路瞬间电流超过了MOS的IDM,如果持续时间超过前述表9的边界范围,则有可能导致MOS瞬间击穿。

9、AON7406ESD影响
冬天尤其要注意,ESD高发时,Ciss电容越小,越容易受到ESD的影响。

10、高频开关损耗过大
高频开关,尤其是调速或无刷应用时,MOS处于高频开关状态,如果驱动和MOS的开关速度没有配合好,导致开关损耗过大,也同样容易使MOS升温导致损坏。

11、AON7406GS驱动电压不匹配
对于高开启的MOS,却使用5V,甚至3.3V的电源来驱动,或者驱动电阻分压不当,例如满电时GS分压为10V,但接近空电时只有5V左右的电压,导致MOS开启不*,内阻成倍增加,通过电流时会快速产生热量导致MOS烧坏。

12、AON7406MOS 损坏主要原因:

过流 ---------- 持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;

过压 ---------- 源漏过压击穿、源栅极过压击穿;

静电 ---------- 静电击穿,CMOS 电路都怕静电;


需要了解更多关于代换AON7406半导体-苏州华镁信息,请联系我们的客户经理!
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代换AON7502应用蓝牙耳机碳化硅mos管封装
AON7502按照安装在PCB板上的方式来划分,MOS管封装主要有两大类:插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。
AON7502插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有:双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。
AON7502表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有:晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管(SOT)、小外形封装(SOP)、方形扁平式封装(QFP)、塑封有引线芯片载体(PLCC)等。
AON7502在完成MOS管芯片在制作之后,需要给MOS管芯片加上一个外壳,这就是MOS管封装。该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用,同时还可为芯片提供电气连接和隔离,从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。
AON7502而不同的封装、不同的设计,MOS管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样,而它们在电路中所能起到的作用也会不一样;另外,封装还是电路设计中MOS管选择的重要参考。封装的重要性不言而喻,今天我们就来聊聊MOS管封




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