超高分辨率场发射扫描电子显微镜 SU9000

超高分辨率场发射扫描电子显微镜 SU9000专门为电子束敏感样品和需大300万倍稳定观察的*半导体器件，高分辨成像所设计。

特点
新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
用改良的高真空性能和的电子束稳定性来实现高效率截面观察。
采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，高效，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。
 
主要特点：

1.  新型电子光学系统设计达到扫描电镜世界高分辨率：二次电子0.4nm（30KV），STEM0.34nm（30KV）。

2.  用改良的高真空性能和的电子束稳定性来实现高效率截面观察。

3.  采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，高效，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。

超高分辨率场发射扫描电子显微镜 SU9000技术指标
二次电子分辨率 0.4nm （加速电压30kV，放大倍率80万倍）
1.2nm （加速电压1kV，放大倍率25万倍）
STEM分辨率 0.34nm（加速电压30kV，晶格象）
观测倍率 底片输出 显示器输出
LM模式 80~10,000x 220~25,000x
HM模式 800~3,000,000x 2,200~8,000,000x
样品台 侧插式样品杆
样品移动行程 X ±4.0mm
Y ±2.0mm
Z ±0.3mm
T ±40度
标准样品台 平面样品台：5.0mm×9.5mm×3.5mmH
截面样品台：2.0mm×6.0mm×5.0mmH
样品台 截面样品台：2.0mm×12.0mm×6.0mmH
双倾截面样品台：0.8mm×8.5mm×3.5mmH
信号检测器 二次电子探测器
TOP 探测器（选配）
BF/DF 双STEM探测器（选配）
应用领域：

1.      半导体器件

2.      高分子材料

3.      纳米材料

4.      生命科学